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公开(公告)号：CN101523541B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN102187425A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141541.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会
CPC classification number: H01J40/06 , H01J45/00 , H01J2201/30434 , H02S99/00
Abstract: 利用光子增强型热离子发射(PETE)以为辐射能量转换提供改进的效率。照射热(大于200℃)半导体阴极以使其发射电子。因为阴极是热的，在相同照射条件下，将发射比从室温(或更冷)的阴极发射的显著更多的电子。该增多的电子发射的结果为，相对于常规光伏器件，可显著增大能量转换效率。在PETE中，阴极电子可(且典型地为)相对于阴极热化。其结果为，PETE不依赖于非热化电子的发射，且相比于热载流子发射方法显著地更易于实现。
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公开(公告)号：CN101986418A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010526331.0
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器（FEDs）、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN1961403B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200480033283.4
申请日：2004-11-12
Applicant: 美国热电集团
CPC classification number: H01J49/147 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30434 , Y10S977/939
Abstract: 一种用在质谱分析器中的离子源，包括：电子发射器，配置其以发射电子束，其中电子发射器组件包括固定在衬底上用于发射电子束的碳纳米管束、配置以控制电子束发射的第一控制栅格和配置以控制电子束能量的第二控制栅格；电离腔，其具有使电子束进入电离腔的电子束入口、用于样本引入的样本入口和为电离样本分子提供出口的离子束出口；电子透镜，其位于电子发射器组件和电离腔之间以聚集电子束；和至少一个电极，其位于离子束出口附近以聚集排出电离腔的电离样本分子。
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公开(公告)号：CN101523541A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117205B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310036129.3
申请日：2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板；第一电极层形成于第一基板的内侧；第二电极层形成于第二基板的内侧；发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上，发光材料层包括量子点材料；第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光，进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
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公开(公告)号：CN103187217B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110444860.0
申请日：2011-12-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管发射体，包括：一基底，该基底具有一第一表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构具有一个接触部和一个发射部，该接触部设置于所述第一表面，该发射部远离所述第一表面，并向远离所述第一表面的方向弯曲，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿着所述接触部到发射部的方向延伸，并且在该延伸方向上首尾相连形成一个连续的碳纳米管结构。
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公开(公告)号：CN102187425B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980141541.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 小利兰·斯坦福大学托管委员会
CPC classification number: H01J40/06 , H01J45/00 , H01J2201/30434 , H02S99/00
Abstract: 利用光子增强型热离子发射(PETE)以为辐射能量转换提供改进的效率。照射热(大于200℃)半导体阴极以使其发射电子。因为阴极是热的，在相同照射条件下，将发射比从室温(或更冷)的阴极发射的显著更多的电子。该增多的电子发射的结果为，相对于常规光伏器件，可显著增大能量转换效率。在PETE中，阴极电子可(且典型地为)相对于阴极热化。其结果为，PETE不依赖于非热化电子的发射，且相比于热载流子发射方法显著地更易于实现。
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公开(公告)号：CN103187217A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110444860.0
申请日：2011-12-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管发射体，包括：一基底，该基底具有一第一表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构具有一个接触部和一个发射部，该接触部设置于所述第一表面，该发射部远离所述第一表面，并向远离所述第一表面的方向弯曲，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿着所述接触部到发射部的方向延伸，并且在该延伸方向上首尾相连形成一个连续的碳纳米管结构。
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公开(公告)号：CN102013371B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910190152.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极的表面处理方法，其包括以下步骤：提供一冷阴极，所述冷阴极包括多个一维场发射体；设置一液体胶于所述冷阴极表面；固化所述液体胶；去除冷阴极表面固化后的液体胶，以使冷阴极表面的一维场发射体竖立。
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