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公开(公告)号：CN108510660A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710110700.X
申请日：2017-02-28
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 本发明提出一种移动内容租赁模式、以及相应的移动租赁设备和附属设备。该移动租赁设备为长时间外出—尤其是长途旅行—的移动用户租赁内容卡（预先录入内容的存储卡）。移动用户租赁了这些内容卡后，可在其携带的移动设备中播放其存储的内容。在全国范围内实现长途旅行的移动观影，移动内容租赁模式的整体成本要远低于传统的内容下载模式。
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公开(公告)号：CN107346231A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710314728.5
申请日：2017-05-06
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 为实现计算的编程，本发明提出一种基于封装内查找表的可编程处理器。它含有一逻辑芯片和一可编程存储芯片，它们位于同一封装中。可编程存储芯片含有一查找表电路（LUT），逻辑芯片含有一算术逻辑电路（ALC）。根据用户需求，LUT存储所需函数的相关数据。ALC对该函数相关数据进行算术运算。
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公开(公告)号：CN103594471B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210292373.1
申请日：2012-08-17
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/102 , H01L21/822 , G11C17/10
摘要： 本发明提出一种三维可写印录存储器（3D-wP），它含有印录存储阵列和直接可写阵列。印录存储阵列存储内容数据，内容数据通过印录法即掩膜編程法）录入；直接可写阵列存储定制数据，定制数据通过写录法录入。在本发明中，写录法主要采用直接写入光刻法。为了保证产能，定制数据的总数据量应少于内容数据总数据量的1%。
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公开(公告)号：CN105990352A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510090104.0
申请日：2015-02-28
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/112 , H01L27/115 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 分离的三维纵向存储器。本发明提出一种分离3D-MV50，它含有至少一三维阵列芯片30和至少一电压产生芯片40。三维阵列芯片30含有多个竖直存储串16X、16Y。至少一电压产生器组件位于电压产生芯片40内，而非三维阵列芯片30内。三维阵列芯片30和电压产生芯片40具有完全不同的后端（BEOL）结构。
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公开(公告)号：CN103633091B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310080461.X
申请日：2013-03-13
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
CPC分类号： H01L24/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种含有地址/数据转换器芯片的三维存储器，它含有至少一单独的三维阵列芯片(30)和一单独的地址/数据转换器芯片(40*)。地址/数据转换器芯片(40*)将主机的地址/数据(54)与三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换。地址/数据转换器芯片(40*)可以含有一读/写电压产生器，从而为三维阵列芯片(30)提供读/写电压。该三维存储器支持多个三维阵列芯片(30a, 30b…)。
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公开(公告)号：CN102969024A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210310140.X
申请日：2012-08-28
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
CPC分类号： G11C5/02 , G11C11/005 , G11C17/12 , G11C29/08 , G11C29/52 , G11C29/822 , G11C2029/0401 , G11C2029/0409
摘要： 随着存储容量的增加，三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）的测试时间变得很长，成本很高。相应地，本发明提出一种自修复系统。3D-MPROM的大部分数据在出厂时未被检测，而在使用现场被检测和修复。该系统含有一播放器。内容通过网络等通讯手段逐次传输至播放器的可重复写存储器（RWM）中。一段时间后，用户收到存储上述内容集合的3D-MPROM。播放器对其数据进行检测。如果发现错误数据，则从RWM处获取相应的正确数据。
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公开(公告)号：CN101763899B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810186013.7
申请日：2002-11-17
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： G11C17/10 , H01L27/112
摘要： 采用二级化存储元的三维只读存储器，本发明提出一种采用二级化存储元的三维只读存储器(3D-ROM)。该二极化存储元的准导通膜与上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小，从而提高其存储密度和可集成性。
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公开(公告)号：CN1285125C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN02131089.0
申请日：2002-09-30
申请人： 张国飙
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/00 , H01L21/66 , H01L27/112 , H01L23/525
摘要： 在三维集成存储器(3DiM)中，三维存储器(3D-M)与常规的可读可写存储器和/或数据处理器集成在一个芯片上。3DiM的整体性能(如速度、成品率、可编程性和数据的安全性)远较分离(standalone)的3D-M优良。本发明提出了多种提高3D-M可集成性的方法。3DiM的一重要应用领域为集成电路测试：载有测试数据的3D-M可以与被测试电路集成在一起，从而实现现场自测试和同速测试。
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公开(公告)号：CN1412850A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02131089.0
申请日：2002-09-30
申请人： 张国飙
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/00 , H01L21/66 , H01L27/112 , H01L23/525
摘要： 在三维集成存储器(3DiM)中，三维存储器(3D－M)与常规的可读可写存储器和/或数据处理器集成在一个芯片上。3DiM的整体性能(如速度、成品率、可编程性和数据的安全性)远较分离(standalone)的3D－M优良。本发明提出了多种提高3D－M可集成性的方法。3DiM的一重要应用领域为集成电路测试：载有测试数据的3D－M可以与被测试电路集成在一起，从而实现现场自测试和同速测试。
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