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公开(公告)号:CN110678334A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201880036528.0
申请日:2018-05-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: B41J2/175
Abstract: 喷墨打印系统包括用于向喷射模块供应流体的流体联接组件。喷射模块包括适于与对应的电缆连接的电连接器,以及具有喷射模块流体端口的喷射模块附接面。流体联接组件包括联接组件附接面,联接组件附接面具有处于对应于喷射模块流体端口的位置的联接组件流体端口。流体联接组件上的闩锁机构包括闩锁把手和闩锁紧固件,闩锁紧固件适于与喷射模块上的闩锁保持器接合。当闩锁把手处于第一解除接合位置时,闩锁机构阻挡电连接器,并且当闩锁把手处于第二接合位置时,闩锁紧固件接合闩锁保持器以将流体联接组件紧固到喷射模块。
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公开(公告)号:CN110494805A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880018057.0
申请日:2018-02-27
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G03F7/004 , C09D11/033 , C09D11/36
Abstract: 一种非水性银前体组合物含有至少1重量%的一种或更多种(a)聚合物,该聚合物为某些纤维素聚合物;(b)可还原的银离子;和(c)有机溶剂介质,该有机溶剂介质由以下组成:(i)羟基有机溶剂,其具有α-氢原子和大气压下100-500°C的沸点,和任选地,不同于(i)有机溶剂的(ii)含腈的非质子溶剂或含碳酸酯的非质子溶剂,各自具有大气压下100-500°C的沸点。基于一种或更多种(a)聚合物的总重量计,(b)可还原的银离子以0.1-400重量%的量存在。该组合物可用于在银离子还原条件下形成银纳米颗粒,并然后施加至各种衬底以提供具有银纳米颗粒图案的制品。
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公开(公告)号:CN105074571B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201480016517.8
申请日:2014-03-06
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Abstract: 硫代硫酸盐聚合物组合物包括电子接受光敏剂组分,其作为单独的化合物或作为所述硫代硫酸盐聚合物的附着物。所述硫代硫酸盐聚合物组合物可被施加于各种制品,或用于在光热反应形成交联二硫键,除去非交联的聚合物,并且与二硫化物‑反应性的材料反应后形成预定的聚合物图案。这类硫代硫酸盐聚合物组合物也可用于螯合金属。
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公开(公告)号:CN106459650B
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201580034029.4
申请日:2015-06-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: B.A.谢尔 , R.T.凯恩 , J.S.霍南 , C.J.兰里-康特赖恩 , C.L.鲍尔
Abstract: 可将第一聚合物胶乳和第二聚合物胶乳混合以在基底上形成干底漆层,以粘附具有细线的图案化材料。所述第一聚合物胶乳包含第一聚合物和第一表面活性剂,使得所述第一聚合物胶乳的干涂层具有至少50%的表面极性。所述第二聚合物胶乳包含第二聚合物和第二表面活性剂,使得所述第二聚合物胶乳的干涂层具有小于或等于27%的表面极性。此外,混合物的干涂层具有至少15%且至多并包括50%的表面极性。涂底漆的基底可用于通过将图案化材料施加至基底来制备直接在干底漆层上具有导电细线的导电制品。此类制品可用作各种电子设备中的触摸屏显示器。
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公开(公告)号:CN106688050B
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201580030866.X
申请日:2015-05-28
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Abstract: 半导体器件可经制备而具有栅极电介质层,所述栅极电介质层包含:(1)可光固化或可热固化的含硫代硫酸盐的聚合物的光化学或热交联产物,和(2)任选地,电子接受光敏剂组分,所述可光固化或可热固化的含硫代硫酸盐的聚合物具有至少50℃的Tg并且包含:有机聚合物主链,其包含(a)重复单元,所述(a)重复单元包含侧挂硫代硫酸根;并进一步包含电荷平衡阳离子。
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公开(公告)号:CN107735865A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201680034373.8
申请日:2016-05-27
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1259 , H01L29/78642 , H01L29/7869
Abstract: 一种电子组件包括衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一栅电介质、第一栅极以及具有第一长度的第一半导体沟道。第一半导体沟道的至少一部分沿与衬底平行的方向延伸。衬底上的垂直支承元件具有第一凹角剖面。第二晶体管包括第二源极、第二漏极、第二栅电介质以及具有第二半导体沟道的第二栅极。第二半导体沟道的至少一部分在垂直支承元件的第一凹角剖面中沿与衬底垂直的方向延伸。
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公开(公告)号:CN106029534B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201480076347.2
申请日:2014-12-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: B65H5/228 , B65H3/0638 , B65H3/0692 , B65H3/14 , B65H5/06 , B65H5/066 , B65H5/22 , B65H5/26 , B65H9/166 , B65H20/14 , B65H23/0212 , B65H23/0251 , B65H23/24 , B65H27/00 , B65H29/245 , B65H2301/4461 , B65H2404/13161 , B65H2404/152 , B65H2406/11 , B65H2406/111 , B65H2406/113 , B65H2406/1132 , B65H2406/12 , B65H2406/36 , B65H2801/03
Abstract: 介质引导系统包括介质引导辊,其具有辊轴线和外表面,外表面具有围绕外表面形成的一个或多个凹槽。介质沿输送路径行进穿过介质引导辊,其中介质的第一侧面对幅材引导辊的外表面。空气源将空气流提供到一个或多个凹槽中,空气流在介质的第一侧与介质引导辊的外表面之间引导,从而产生伯努利力来将介质拉向介质引导辊的外表面,且在介质与介质引导辊之间提供增大的牵引力。
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公开(公告)号:CN104770071B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201380059493.X
申请日:2013-11-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: I.舒斯特
CPC classification number: H05K3/10 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/182 , C23C18/1831 , C23C18/1834 , C23C18/1868 , C23C18/1879 , C23C18/1882 , C23C18/204 , C23C18/2066 , C23C18/30 , H05K3/182 , H05K3/185 , H05K2203/087
Abstract: 一种用于在衬底(208)上形成导电图案的方法,包括:在衬底上提供用于成像的图像图案;使图像图案成像于衬底,从而形成成像区域;在衬底上喷射功能材料(232),衬底使功能材料的分子扩散进入成像区域;以及在衬底上的成像区域内应用构造出导电材料迹线的非电解铜涂层。
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公开(公告)号:CN103917919B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201280042411.6
申请日:2012-08-21
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: K.哈亚施
CPC classification number: G03F7/11 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/08 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , B41N3/034 , B41N3/036 , G03F7/16 , G03F7/3035
Abstract: 在机可显影、阴图制版平版印版前体具有硫酸阳极化含铝基底,其中已经使用酸性或碱性处理扩大了所述氧化层孔。在所述扩大的孔上,施加亲水涂层,所述涂层包含具有羧酸侧链的非交联的亲水聚合物。该特定基底为在机显影和印刷提供改进的粘附性和印刷耐久性。
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公开(公告)号:CN106688050A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201580030866.X
申请日:2015-05-28
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01B3/307 , H01B3/302 , H01L51/0034 , H01L51/052
Abstract: 半导体器件可经制备而具有栅极电介质层,所述栅极电介质层包含:(1)可光固化或可热固化的含硫代硫酸盐的聚合物的光化学或热交联产物,和(2)任选地,电子接受光敏剂组分,所述可光固化或可热固化的含硫代硫酸盐的聚合物具有至少50℃的Tg并且包含:有机聚合物主链,其包含(a)重复单元,所述(a)重复单元包含侧挂硫代硫酸根;并进一步包含电荷平衡阳离子。
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