公开(公告)号：CN101071679B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710092188.7

申请日：2007-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤原俊康

IPC: H01F37/00 ,  H01F27/255 ,  H01F30/00

Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高电感的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(12)上的薄膜线圈(13)上，下部线圈部分(13A)的厚度TA比上部线圈部分(13B)的厚度TB小。与厚度TA、TB的总和固定、这些厚度TA、TB彼此相等的情况不同，因为下部线圈部分(13A)的厚度TA不会过大，所以，磁性膜(12)基底的起伏变小。由此，磁性膜(12)的平坦性变好，故磁特性(导磁率)不会恶化。

公开(公告)号：CN101071677B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710092140.6

申请日：2007-04-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤原俊康 ,  崔京九

IPC: H01F37/00 ,  H01F27/255 ,  H01F30/00

CPC classification number: H01F17/0013 ,  G11B5/17 ,  H01F2017/0066

Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上，由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)的厚度TB大(厚度比TB/TA＜1)。与下部线圈部分(14A)的厚度TA为上部线圈部分(14B)的厚度TB以下的情况(厚度比TB/TA≥1)相比，在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)之间，交链下部线圈部分(14A)的过渡磁通的量减少。