公开(公告)号：CN106716070B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201680002822.0

申请日：2016-04-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  福冈诚二 ,  大山俊彦 ,  守屋贵裕 ,  成田薰

IPC: G01D5/12

CPC classification number: G01D5/12 ,  G01D5/147

Abstract: 本发明所涉及的位置检测装置(1)具备：第1磁体(3)和第2磁体(5)，以及检测由第1磁体(3)以及第2磁体(5)产生的磁场的方向的检测元件(7)，第1磁体(3)和第2磁体(5)通过相同极性相对来进行配置，受检测元件(7)检测的磁场的方向因检测对象物(D)在第1磁体(3)和第2磁体(5)的相对方向上的移动而发生变化。

公开(公告)号：CN103185828A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210587622.X

申请日：2012-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫腰高明 ,  柏木孝夫 ,  平野裕幸 ,  福冈诚二

IPC: G01R19/00

CPC classification number: G01R15/14 ,  G01R15/207

Abstract: 本发明提供一种减少磁屏蔽用的磁性体的磁滞所引起的母线非通电时（0安培时）的测量误差的发生并谋求测量精度的提高的电流传感器。该电流传感器具备彼此相对的磁屏蔽用的第1和第2磁性体（30A,30B）、以及配置在磁性体（30A,30B）间的母线（10）和霍尔IC（20），当电流流到母线（10）时，相对的磁性体（30A,30B）以彼此相反的方向磁化，在由通过磁性体（30A）被磁化而产生的磁场以及通过磁性体（30B）被磁化而产生的磁场而使施加于霍尔IC（20）的磁场变弱的位置，配置霍尔IC（20）。

公开(公告)号：CN117405010A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310871046.X

申请日：2023-07-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  冈祯一郎 ,  毛受良一 ,  高桥真

IPC: G01B7/30 ,  H02K11/215

Abstract: 本发明的磁传感器(1)检测沿着轴向(Z)延伸的旋转体(2)的旋转角。磁传感器(1)具有：凹凸结构(22)，其在旋转体(2)的轴向(Z)上的前端面(21)设置为环状，由软磁性体形成的；磁铁(3)以及元件(4)。凹凸结构(22)具备凸部(23)和凹部(24)，凸部(23)相对于凹部(24)沿着轴向Z突出。元件(4)检测由磁铁(3)和凹凸结构(22)形成的磁场。磁铁(3)和元件(4)与旋转体(2)分开配置，且磁铁(3)和元件(4)的相互的位置关系固定。磁铁(3)和元件(4)中的至少任意个，在轴向Z、和与轴向Z正交的径向R中的至少任意方向上，位于与凹凸结构(22)不同的位置。

公开(公告)号：CN115932670A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211095696.1

申请日：2022-09-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  高桥真 ,  毛受良一 ,  冈祯一郎 ,  木槫隼人

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/04 ,  G01R15/20 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其能够校正来自软磁性体的残留磁通引起的磁滞误差，并包括包含第一软磁性体和第二软磁性体的软磁性体、以及利用被施加的检测磁通来检测物理量的磁检测部，磁检测部包含第一磁检测部和第二磁检测部。检测磁通包含施加在第一磁检测部的第一检测磁通和施加在第二磁检测部的第二检测磁通，从软磁性体产生的残留磁通包含能够施加在第一磁检测部的第一残留磁通和能够施加在第二磁检测部的第二残留磁通。第一和第二磁检测部配置在第一残留磁通相对于第一检测磁通之比与第二残留磁通相对于第二检测磁通之比不同的位置，基于来自第一和第二磁检测部的第一和第二输出值之差，获取校正了残留磁通引起的磁滞误差的校正物理量。

公开(公告)号：CN114460347A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111109900.6

申请日：2021-09-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  高桥真 ,  毛受良一

IPC: G01R15/20 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其用于检测由电流在第一方向上流动的导体产生的磁，其特征在于，具备可检测磁的磁检测部、集磁芯、以及磁屏蔽。集磁芯包含：第一芯部，其与第一方向实质上平行；第二芯部及第三芯部，它们与和第一方向正交的第二方向上的第一芯部的两端部分别连续。第二芯部及第三芯部分别以沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向的方式从第一芯部的端部延伸。磁检测部在第二方向上具有磁敏方向，位于第三方向上的第二芯部的端部附近和第三芯部的端部附近所夹持的芯间隙。磁屏蔽包含以沿着第三方向观察时与芯间隙重叠的方式定位的板状屏蔽部。

公开(公告)号：CN113295907A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110195222.3

申请日：2021-02-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  高桥真 ,  毛受良一 ,  冈祯一郎

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明提供降低了剩余磁化的影响的电流传感器。电流传感器(1A)包括：能够被电流磁化的磁路(3A、4A)；第一磁敏元件(5)，其配置于电流通电时的磁场与由电流非通电时的磁路(3A、4A)的剩余磁化引起的磁场朝向相同方向的位置；和第二磁敏元件(6)，其配置于电流通电时的磁场与由电流非通电时的磁路(3A、4A)的剩余磁化引起的磁场朝向相反方向的位置。

公开(公告)号：CN111486776A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010064054.X

申请日：2020-01-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  冈祯一郎 ,  福冈诚二

IPC: G01B7/00 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明的一种位置检测装置具备磁单元和传感器。磁单元具有磁部件和保持部件。磁部件包括磁体和第一磁轭。磁体在轴向上延伸，与轴向正交的截面的面积在轴向上实质上一定，并且在与轴向正交的径向上具有第一最大外径。第一磁轭在轴向上与磁体邻接配置，并且在径向上具有大于第一最大外径的第二最大外径。保持部件在轴向上延伸且保持磁部件。传感器检出伴随磁单元沿着轴向的移动而变化的磁场。