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公开(公告)号：CN119790724A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062700.0
申请日：2023-05-17
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的技术问题是，在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，缓和在施加了反向电压的情况下在漂移层产生的电场。解决手段是，肖特基势垒二极管(1)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)和漂移层(30)；以及阳极电极(40)和阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(32)。外周沟槽(32)包括内周壁(33)、外周壁(34)、底面(35)、内周角部(36)和外周角部(37)。内周壁(33)以及内周角部(36)隔着绝缘膜(60)被阳极电极(40)覆盖，外周角部(37)由导电型与漂移层(30)相反的半导体材料(70)覆盖。由此，在施加了反向电压的情况下，能够缓和在漂移层(30)内的内周角部(36)的周围产生的电场。
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公开(公告)号：CN118922591A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029359.9
申请日：2023-01-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种坩埚、结晶制造方法及单晶。该坩埚(G)是用于氧化物单晶的生长的坩埚(G)，且具备沿厚度方向层叠并接合的多个氧化物板(G1～G10)，各个氧化物板(G1～G10)中的添加物的浓度不同。结晶制造方法通过一边使晶种接触坩埚内的熔融液的露出表面，一边使露出表面的位置沿铅直方向移动，由此使氧化物单晶生长。在氧化镓的单晶中，沿生长轴方向的添加物的浓度可以优选地设为平均值±5％的范围内。
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公开(公告)号：CN118339662A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079145.8
申请日：2022-08-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于，在使用氧化镓的肖特基势垒二极管中，既确保充分的反向耐压又降低导通电阻。肖特基势垒二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有埋入有阳极电极(40)的中心沟槽(61)。中心沟槽(61)的底面不与阳极电极(40)相接而被绝缘膜(70)覆盖，中心沟槽(61)的侧面的至少一部分不被绝缘膜(70)覆盖而与阳极电极(40)肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN109923678B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201780068998.0
申请日：2017-09-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/47
Abstract: 本发明的课题是在确保使用氧化镓的肖特基势垒二极管的机械强度和操作性的同时，抑制发热，提高散热性。解决该课题的方案是：本发明包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)，其在第二表面(22)侧设置有凹部(23)；由氧化镓构成的外延层(30)，其设置在半导体基板的第一表面(21)上；阳极电极(40)，其设置在从层叠方向看与凹部(23)重叠的位置，与外延层(30)肖特基接触；和阴极电极(50)，其设置在半导体基板(20)的凹部(23)内，与半导体基板(20)欧姆接触。根据本发明，因为流动正向电流的部分的厚度有选择地变薄，所以能够在确保机械强度和操作性的同时，降低发热，提高散热性。因此，尽管使用热导率低的氧化镓，也能够抑制元件的温度上升。
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公开(公告)号：CN110521004B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201880022742.0
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/365 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。
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公开(公告)号：CN115125608A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210252469.9
申请日：2022-03-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。
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公开(公告)号：CN112005384A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980024311.2
申请日：2019-03-11
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/41 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟道(10)，外周沟道(10)利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)而埋入。这样，如果设置利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)埋入的外周沟道(10)，则电场由于外周沟道(10)的存在而被分散。由此，能够缓和阳极电极(40)的角部的电场集中，因此，难以产生绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN118318310A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079132.0
申请日：2022-08-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于，在使用了氧化镓的结势垒肖特基二极管中，既确保足够的反向耐压又降低导通电阻。结势垒肖特基二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有埋入有导电类型与阳极电极(40)和漂移层(30)相反的半导体材料(80)的中心沟槽(61)。中心沟槽(61)的底面(32)不与阳极电极(40)相接而与半导体材料(80)相接，中心沟槽(61)的侧面(33)的至少一部分与阳极电极(40)肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN112913034B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201980070323.9
申请日：2019-10-09
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括：由氧化镓形成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(10)。位于阳极电极(40)与外周沟槽(10)之间的漂移层(30)的表面被与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)覆盖。
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公开(公告)号：CN111279490B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880069554.3
申请日：2018-09-26
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。
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