电涌吸收元件和电涌吸收电路

    公开(公告)号:CN1905362A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200610108904.1

    申请日:2006-07-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供相对高速信号阻抗匹配优异,且小型的电涌吸收元件和电涌吸收电路。电涌吸收元件(SA1)具有第一和第二电感线圈部(10)、(20)、第一和第二电涌吸收部(30)、(40)。第一电感线圈部(10)具有第一和第二线圈(13)、(15),第二电感线圈部(20)具有第三和第四线圈(21)、(23)。通过适当设定各线圈之间的耦合系数和第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数,在宽频带可以实现频率特性的平坦的镜像阻抗。此外,由于第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)相互具有正的磁耦合状态,与没有正的磁耦合状态时相比,可以使第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数减小。

    压敏非线性电阻器陶瓷、制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN1353097A

    公开(公告)日:2002-06-12

    申请号:CN01137696.1

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

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