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公开(公告)号:CN101047065B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200710089708.9
申请日:2007-03-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供制造具有交替层叠有电介质层(2)和内部电极层(3)的元件主体(10)的叠层型电子部件的方法。对于用于形成内部电极层(3)的电极糊料中所含的导电性粒子的粒径α和抑制剂粒子的粒径β而言,使得α/β=0.8~8.0。另外,使导电性糊料中抑制剂粒子的添加量多于30wt%、少于65wt%。
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公开(公告)号:CN1744244B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200510097660.7
申请日:2005-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/08 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49163 , Y10T29/49206
Abstract: 一种电子部件,其特征在于,其具有电介质层和内部电极层相互层压的元件主体,前述电介质层和/或前述内部电极层中形成异相,在前述异相中含有Mg元素及Mn元素。优选将前述异相形成在前述电介质层和前述内部电极层的边界附近的至少一部分。
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公开(公告)号:CN100483577C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200410087475.5
申请日:2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化,也可以将IR不良率控制得较低,并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物含有:组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分,和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中,A、B为0.995≤A/B≤1.020,x为0.0001≤x≤0.07,优选为0.001≤x≤0.05,y为0.1≤y≤0.3,z为0.0005≤z≤0.01,优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号:CN1604247A
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN200410087475.5
申请日:2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化,也可以将IR不良率控制得较低,并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物含有:组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分,和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中,A、B为0.995≤A/B≤1.020,x为0.0001≤0.07,优选为0.001≤x≤0.05,y为0.1≤y≤0.3,z为0.0005≤z≤0.01,优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号:CN100520984C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200610059224.5
申请日:2006-01-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/46 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 一种电介质陶瓷组合物,其特征在于包含:含有Ba、Ca和Ti,且含有具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分;和含有Zr化合物的第4副成分,并且相对于100摩尔的上述主成分,以Zr换算,上述第4副成分的含量大于0摩尔、不足5摩尔。优选上述电介质陶瓷组合物具有偏析相,且在上述偏析相中,含有Zr化合物。
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公开(公告)号:CN100511506C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200510087852.X
申请日:2005-06-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电子部件,是具有电介质层的陶瓷电子部件,所述电介质层含有包含(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3系材料的主成份、以及包含Si氧化物的副成份,相对于电介质层总体,所述Si氧化物的含量为0~0.4重量%(其中,不含0),优选所述电介质层具有偏析层,所述偏析层含有Si氧化物,且实质上不含有Li氧化物。根据本发明,能够提供一种IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低,高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。
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公开(公告)号:CN100434393C
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200610079430.2
申请日:2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 一种电介质陶瓷组合物,其至少包含:含有钛酸钡的主成分,包含选自MgO、CaO、BaO和SrO的至少1种的第1副成分,包含选自Al2O3、Li2O和B2O3的至少1种的第2副成分,包含选自V2O5、MoO3和WO3的至少1种的第3副成分,包含R1氧化物(其中,R1为选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少1种)的第4副成分,和包含CaZrO3或CaO+ZrO2的第5副成分。
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公开(公告)号:CN1819066A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610059224.5
申请日:2006-01-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/46 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 一种电介质陶瓷组合物,其特征在于包含:含有Ba、Ca和Ti,且含有具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分;和含有Zr化合物的第4副成分,并且相对于100摩尔的上述主成分,以Zr换算,上述第4副成分的含量大于0摩尔、不足5摩尔。优选上述电介质陶瓷组合物具有偏析相,且在上述偏析相中,含有Zr化合物。
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公开(公告)号:CN1810713A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510129197.X
申请日:2005-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/46 , C04B35/462 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/1245
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物,其含有:包含组成式{(Me1-xCax)O}m·(Zr1-yTiy)O2表示的电介质氧化物的主成分,其中Me是Sr、Mg和Ba中的至少一种,m、x和y具有0.995≤m≤1.020、0<x≤0.15、0≤y≤1.00的关系;含有R氧化物(其中,R是稀土类元素)的第一副成分;含有Mg氧化物的第二副成分;含有Mn氧化物的第三副成分;其中各副成分相对于100mol主成分的比率是:第一副成分:0.1~6mol;第二副成分:1~5mol;第三副成分:0.1~2.5mol;该电介质陶瓷组合物还含有A氧化物(其中,A是选自6配位时有效离子半径为0.065nm~0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)作为第四副成分。
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公开(公告)号:CN1760156A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200510097630.6
申请日:2005-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468
CPC classification number: H01G4/10
Abstract: 本发明提供一种具有电介质层的陶瓷电子部件,上述电介质层含有用组成式BamTiO2+m表示的主成分,上述组成式中的m为0.995≤m≤1.010,Ba和Ti之比为0.995≤Ba/Ti≤1.010,和包含Al氧化物的副成分(第6副成分);相对于上述主成分100摩尔,上述Al氧化物的含量,按Al2O3换算为0~4.0摩尔(其中,不包括0),优选方案为上述电介质层具有偏析相,上述偏析相中含有Al氧化物。
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