公开(公告)号：CN110785259A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042418.5

申请日：2018-07-10

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  柳俊城 ,  徐章源 ,  安宰仁

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/24 ,  H01L21/306

Abstract: 实施例涉及抛光垫，其包括硬度与其抛光层类似的窗口。因为抛光垫包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，所以它能产生防止CMP工艺期间划伤晶片的效果。另外，抛光垫的抛光层和窗口相对于温度具有类似的硬度改变率，因此它们可保持类似的硬度，而与CMP工艺期间温度的改变无关。

公开(公告)号：CN110177655A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006761.4

申请日：2018-01-18

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 柳俊城 ,  权泰庆 ,  徐章源 ,  尹晟勋

IPC: B24D18/00 ,  B24B37/22 ,  B24B37/20 ,  B24B37/26 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种生产抛光垫的方法，该方法包括如下步骤：提供抛光层；形成穿透抛光层的第一通孔；提供面向抛光层的支撑层；在具有第一通孔的抛光层和支撑层之间插入粘接层，且通过该粘接层将抛光层和支撑层彼此粘接；以第一通孔为参考点，形成穿透粘接层在其设定区域上的第三通孔，以及形成穿透支撑层在其设定区域上的第二通孔；以及在第一通孔内部嵌入窗口。

公开(公告)号：CN109202693A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811102874.2

申请日：2018-09-20

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  权泰庆 ,  安宰仁 ,  尹钟旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24D18/00 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26

Abstract: 实施方案涉及一种用于化学机械平坦化工艺并具有防泄漏效果的抛光垫及其制造方法。一实施方案提供一种抛光垫，其包括：具备第一通孔的抛光层；设置于所述抛光层下面的支撑层；以及设置于所述第一通孔中的窗户，并且包括选自第一压缩区域及第二压缩区域的一个以上的压缩区域，在所述第一压缩区域，所述支撑层设置在与所述窗户的外周边区域相对应的区域中，在所述第二压缩区域，所述支撑层设置在与所述窗户的内周边区域相对应的区域中。该抛光垫气密性优异，从而具有防止在化学机械平坦化工艺期间有可能发生的泄漏的效果。

公开(公告)号：CN108673332A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810493335.X

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26

CPC classification number: B24B37/24 ,  C08G18/10 ,  C08G18/2027 ,  C08G18/3243 ,  C08G2101/0066 ,  C08J9/32 ,  C08J2203/22 ,  C08J2205/044 ,  C08J2205/05 ,  C08J2207/00 ,  C08J2375/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L23/53257 ,  B24B37/26

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为101‑250MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。