公开(公告)号：CN101304947A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042218.7

申请日：2006-11-10

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 吴明焕 ,  鲁埈硕 ,  金种珌 ,  金长烈 ,  曹昇范

IPC: C01F17/00

CPC classification number: C01F17/005 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种通过将铈前驱体溶液与碳酸盐前驱体溶液混合并使该混合溶液进行沉淀反应来制备碳酸铈粉末的方法，其中，铈在所述铈前驱体溶液中的浓度为1M～10M，所述铈前驱体与碳酸盐前驱体的摩尔浓度比为1∶1～1∶7，并且所述铈前驱体溶液含有选自由碳酸盐化合物、丙烯酸化合物和含硫酸根离子的化合物组成的组中的至少一种添加剂。根据公开的发明，通过控制铈前驱体溶液的浓度、铈前驱体与碳酸盐前驱体溶液的摩尔浓度比、添加剂的种类等，可以由液相法制备具有0.05～1μm均一粒度的碳酸铈粉末。同样地，即使具有正交晶体结构，该碳酸铈粉末也能具有长宽比为1～5的均一形状。

公开(公告)号：CN101326256B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200680046228.8

申请日：2006-12-08

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李政熹 ,  金种珌 ,  李基罗 ,  文光翼 ,  高彰范 ,  张淳浩 ,  曹升范 ,  洪瑛晙

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。

公开(公告)号：CN101258106B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680032288.4

申请日：2006-09-01

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 曹昇范 ,  鲁埈硕 ,  申东穆 ,  金种珌 ,  吴明焕 ,  金长烈 ,  崔银美 ,  高敏镇

IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/17

Abstract: 本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。

公开(公告)号：CN101495592A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780027773.7

申请日：2007-07-26

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 吴明焕 ,  曹昇范 ,  鲁埈硕 ,  金种珌 ,  金长烈

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明公开了一种用于CMP磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和/或晶片内不均匀性(WIWNU)。更具体而言，所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。同样，本发明公开了包含用二氧化铈粉末作为磨料的CMP浆料以及使用该CMP浆料作为抛光浆料的用于半导体器件的浅沟槽隔离方法。

公开(公告)号：CN101374922A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003331.9

申请日：2007-01-19

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 曹升范 ,  金种珌 ,  鲁埈硕 ,  吴明焕 ,  金长烈

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。

公开(公告)号：CN101326257A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046413.7

申请日：2006-12-08

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李基罗 ,  金种珌 ,  李政熹 ,  文光翼 ,  高彰范 ,  张淳浩 ,  曹升范 ,  洪瑛晙

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。

公开(公告)号：CN101068901A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041069.8

申请日：2005-12-28

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 李基罗 ,  金种珌 ,  李政熹 ,  洪政填 ,  洪瑛晙 ,  金鲁马 ,  李安娜

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明公开了一种用于阳离子带电材料和阴离子带电材料同时抛光的辅助剂，其在阳离子带电材料上形成吸附层以提高阴离子带电材料对阳离子带电材料的抛光选择性，其中所述辅助剂包含聚合电解质盐，该聚合电解质盐包含：(a)重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚合电解质；以及(b)基材。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。