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公开(公告)号:CN1326912C
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN03814811.0
申请日:2003-06-27
Applicant: LG·化学株式会社
CPC classification number: H01L21/3121 , C08G77/48 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物,特别涉及一种有机硅酸盐聚合体,所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备:混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物,然后加入水和催化剂以进行水解和缩合,而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物,用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质,本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法,及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体;一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜,其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰;通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能,可阻止相分离,可容易地控制微孔,因为在固化过程中有机物质热分解形成孔,而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。
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公开(公告)号:CN1759135A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200480006418.8
申请日:2004-04-16
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/12 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/50 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机硅氧烷树脂和使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜。该绝缘膜是通过使用有机硅氧烷树脂而被制备,其中,有机硅氧烷树脂为含有一种或多种氢化硅烷化合物的硅烷复合物的水解-缩合聚合物。本发明的有机硅氧烷树脂和使用该树脂的绝缘膜具有优良的机械特性和低介电特性,并且因此,适合用于高度集成的半导体设备。
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