公开(公告)号：CN1957020B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200580015093.4

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  山中达也 ,  盐田淳 ,  黑泽孝彦

IPC: C08G77/50 ,  C08G77/42 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。

公开(公告)号：CN101883741A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118617.6

申请日：2008-11-28

Applicant: 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 ,  JSR株式会社

Inventor： 石井宽之 ,  黑泽孝彦 ,  加茂理

IPC: C03C17/00 ,  C08F220/00 ,  C09J4/00

CPC classification number: C09D4/00 ,  C03C25/105 ,  C08F220/00 ,  C09J4/00

Abstract: 本发明描述并且要求保护一种适于用在光纤上作为包覆层的液态可辐射固化涂料组合物。所述组合物如下：(A)含氟氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；(B)下式(1)所表示的化合物，CH2＝CR1COO(CH2)x(CF2)yX(1)，其中，R1表示氢原子或甲基，X表示氢原子或氟原子，x表示1或2，y表示2至8的整数；(C)(甲基)丙烯酸；和(D)硅烷偶联剂。

公开(公告)号：CN1950473B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580014628.6

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  黑泽孝彦 ,  盐田淳

IPC: C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以-(Si-CH2)x-表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4-a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c……(3)

公开(公告)号：CN1950473A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014628.6

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  黑泽孝彦 ,  盐田淳

IPC: C09D183/14 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C08G77/50 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以－(Si－CH2)x－表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4－a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c……(3)。