公开(公告)号：CN101473382A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780023028.5

申请日：2007-03-12

申请人： 高级技术材料公司

发明人： 杰弗里·F·罗德 ,  托马斯·H·包姆 ,  布莱恩·C·亨德里克斯 ,  格雷格里·T·斯托弗 ,  许从应 ,  威廉·亨克斯 ,  陈天牛 ,  马蒂亚斯·斯滕德

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： 本发明揭露一种用于在一基材上形成相变化记忆体材料之系统及方法，其中将基材与相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一可产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤藉由化学气相沉积或原子层沉积来进行。本发明亦描述多种可用于在基材上形成GST(锗－锑－碲；Ge－Sb－Te)相变化记忆体膜的碲、锗及锗－碲前驱物。