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公开(公告)号：CN119511444A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311085828.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种光模块及光芯片的制备方法，光模块包括光芯片与光纤，光芯片包括第一衬底、设于第一衬底上的第一掩埋层、设于第一掩埋层上的第一包层、设于第一包层上的第二包层及设于第二包层上的第二掩埋层，第一包层内设有远离第一衬底的第一波导与第一金属电极组，第一波导与第一衬底之间具有第一间隙；第二包层内设有远离第一包层的第二波导及靠近第一包层的第二金属电极组，第二金属电极组与第一金属电极组键合连接，第二波导与第一波导耦合连接，第二与第一波导之间具有第二间隙，光纤与第一波导耦合连接。本公开中光芯片具有两个衬底，以在光芯片内集成距离衬底非常远的第一波导，增加了第一波导与衬底间的距离，减少了衬底泄露损耗。
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公开(公告)号：CN119496043A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311043637.4
申请日：2023-08-18
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括含有激光器组件的光源，激光器组件包括组成谐振腔的半导体增益芯片与波长调谐芯片，波长调谐芯片包括至少一个微环滤波器，至少一个微环滤波器用于从半导体增益芯片发射的光束中筛选出特定波长的光束，微环滤波器包括硅衬底、设于硅衬底上的覆盖层、位于覆盖层内的硅波导脊区、位于硅波导脊区两侧的第一与第二平板区及接触电极，第一平板区内设有N型掺杂区，第二平板区内设有P型掺杂区，P型掺杂区与N型掺杂区形成与接触电极电连接的PN结，对PN结施加反向偏压可以吸收硅波导脊区、第一与第二平板区内的电子空穴对。本公开在硅波导脊区两侧增设PN结，解决了谐振腔的非线性效应问题，消除了波长振荡现象。
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公开(公告)号：CN220692525U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202322308553.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片包括增益区、第一光栅区及第二光栅区，第一光栅区及第二光栅区分别位于增益区的两侧，增益区用于产生增益光。第一光栅区包括第一掺杂区域，第一掺杂区域中具有掺杂物质；第二光栅区包括第二掺杂区域，第二掺杂区域中具有掺杂物质，掺杂物质可消耗第一光栅区及第二光栅区内部的自由载流子，从而降低自由载流子浓度，载流子寿命正比于载流子浓度，从而减少自由载流子与传输到第一光栅区及第二光栅区的增益光子之间的相互作用及光吸收效应，减小低频相位噪声，从而对线宽进行压窄；同时，当载流子浓度降低时，第一光栅区及第二光栅区导电性能降低，进一步减少载流子与光子的相互作用及光吸收效应。
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