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公开(公告)号：CN109328402B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780034785.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明提供一种量子点发光二极管，其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层：II‑VI族化合物、II‑V族化合物、III‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、I‑III‑VI族化合物、II‑IV‑VI族化合物、II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物；并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体，所述第一单体结构包含a)可聚合基团；b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6‑C50芳香族取代基；和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号：CN109328402A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780034785.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L51/54
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5056
Abstract: 本发明提供一种量子点发光二极管，其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层：II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物；并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体，所述第一单体结构包含a)可聚合基团；b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳香族取代基；和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号：CN109312229A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086966.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种用于制造有机电荷传输膜的方法。所述方法包含以下步骤：(a)向基底施加具有磺酸、磺酸盐或磺酸酯取代基的第一聚合物树脂；以及(b)在第一聚合物树脂上施加Mw为至少3,000并包含芳基甲氧基键联的第二聚合物树脂。
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公开(公告)号：CN106575705A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044625.0
申请日：2015-08-19
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 本发明提供了用于OLED应用中的包含BCB官能化材料的组合物。可以使用本发明的组合物形成用于电致发光器件中的空穴传输材料。特别地，本发明提供了包含聚合物或由其形成的组合物、电荷传输膜层，以及发光器件，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元。
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公开(公告)号：CN106574040A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043995.2
申请日：2015-08-20
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元以及一个或多个衍生自结构(B)的聚合单元，其分别如下：A)如本文所定义，具有结构(A)的单体：和B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844981A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064875.X
申请日：2017-10-20
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
Inventor： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , D·D·德沃尔 , B·古德费洛 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , T·H·彼得森 , W·H·H·伍德沃德 , A·N·索科洛夫
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层，或所述空穴传输层，或所述空穴注入层以及所述空穴传输层，或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括一种聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由以下组成的群组：氢、氚卤素、胺基、羟基、磺酸酯基、硝基和有机基团，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的一个或多个共价键结至所述聚合物，且其中A-为阴离子。
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公开(公告)号：CN109348733A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201680086675.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Inventor： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , 刘淳 , D·D·德沃尔 , S·冯 , 冯继昌 , 朱敏荣 , 李扬 , S·穆克霍培德海耶 , A·N·索科洛夫 , M·S·雷米 , P·特雷福纳斯三世 , B·尼尔逊
Abstract: 一种聚合物，其具有至少4,000的Mn且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基；Ar1、Ar2和Ar3共同含有至少2个氮原子和至少9个芳族环；并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳族环连接的乙烯基。
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公开(公告)号：CN109315047A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086916.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Inventor： D·D·德沃尔 , 都成真 , 冯少光 , R·D·格里格 , 李扬 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , 罗弘烨 , M·S·雷米 , L·P·斯宾塞 , A·N·索科洛夫 , P·特雷福纳斯三世 , 朱敏荣 , A·英曼 , J·W·克雷默
Abstract: 一种可用于产生有机电荷传输膜的单一液相制剂。该制剂包含：(a)具有Mn至少4,000且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元的聚合物，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳香环连接的乙烯基；条件是所述化合物不含芳基甲氧基键；(b)酸催化剂，其为pKa≤4的有机布朗斯特酸；路易斯酸，其包含芳族阳离子和阴离子，所述阴离子为(I)具有下式的四芳基硼酸根，其中R表示0至5个选自D、F和CF3的非氢取代基，(ii)BF4-，(iii)PF6-，(iv)SbF6-，(v)AsF6-或者(vi)ClO4-；或者热致产酸剂。
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公开(公告)号：CN108701765A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680060873.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/004 , C08L65/00 , C08L2203/16 , H01L51/0007 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/56 , H01L2251/556 , H01L2251/558
Abstract: 一种用于制备有机电荷传输膜的单相液体制剂；所述制剂包含：(a)Mw低于5,000的第一聚合物树脂；(b)Mw至少是7,000的第二聚合物树脂；(c)沸点是50到165℃的第一溶剂；和(d)沸点是180到300℃的第二溶剂。
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公开(公告)号：CN106575705A8
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201580044625.0
申请日：2015-08-19
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 本发明提供了用于OLED应用中的包含BCB官能化材料的组合物。可以使用本发明的组合物形成用于电致发光器件中的空穴传输材料。特别地，本发明提供了包含聚合物或由其形成的组合物、电荷传输膜层，以及发光器件，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元。
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