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公开(公告)号：CN106517814B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610890214.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液，再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长，其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2～3个数量级，显著降低了BFO薄膜的漏电流密度，改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶‑凝胶法制备薄膜，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。
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公开(公告)号：CN107032631B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710253909.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/25 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜，即GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能，制得的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，并具有随外加电压变化的铁电稳定性。
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公开(公告)号：CN107140848B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710254342.X
申请日：2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34 , C04B35/40 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同Gd浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.91Gd0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜，即GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
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公开(公告)号：CN107117830A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710254704.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34 , C04B35/40 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸镧、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xLaxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜，即LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能，制得的LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，为高剩余极化值和低矫顽场的多铁薄膜，有效增强了薄膜的铁电和介电性能。
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公开(公告)号：CN105845436A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610202051.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明提供了一种SrFeO2.5磁性薄膜及其制备方法，将Sr(NO3)2和Fe(NO3)3·H2O溶解于乙二醇和醋酸酐的混合液中，搅拌均匀，得到SrFeO2.5前躯液。采用旋涂法和逐层退火的工艺，在基片上制得SrFeO2.5磁性薄膜。本发明设备要求简单，实验条件容易达到，化学组分精确可控，制备的SrFeO2.5磁性薄膜均匀性较好，具有正交结构。当测试频率为1kHz时，该薄膜的介电常数为425；当电场为100kV/cm时，该薄膜的漏电流密度为1.07×10?4A/cm2，室温下，该薄膜的饱和磁化值为5.4emu/cm3，剩余磁化值为0.45emu/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105859273B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610187898.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: 本发明提供了一种2‑2型BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜及其制备方法，先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液；然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜，再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜，即得到BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法，制备的薄膜均匀性好，且化学组分精确可控，将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合，得到的BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3，剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3；同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦‑瓦格纳介电弛豫；薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。
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公开(公告)号：CN105632756B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610188296.3
申请日：2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明提供了一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法，将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中，搅拌得到均匀的CuFe2O4前驱液，用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控。本发明制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的饱和磁化强度Ms＝110emu/cm3，剩余磁化强度Mr＝71emu/cm3，矫顽Hc＝810Oe。
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公开(公告)号：CN107021649A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710253946.2
申请日：2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C2217/228 , C03C2217/241 , C03C2218/116 , C03C2218/32
Abstract: 本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同La浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.94La0.03Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.91La0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜，即LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
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公开(公告)号：CN105906221A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610188155.1
申请日：2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C2217/70 , C03C2217/94 , C03C2218/116
Abstract: 一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97?xMn0.03CuxO3?CuFe2O4复合膜及其制备方法，该复合膜包括上层的Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97?xMn0.03CuxO3(x＝0.01～0.05)晶态膜和下层的CuFe2O4晶态膜。制备时先分别配制Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97?xMn0.03CuxO3前驱液和CuFe2O4前驱液；然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4膜，再在CuFe2O4膜上旋涂制备多层Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97?xMn0.03CuxO3膜，即得到多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97?xMn0.03CuxO3?CuFe2O4复合膜。本发明设备要求简单，制备的薄膜均匀性好，掺杂量易控，提高了薄膜的铁电和铁磁性能，有效降低了薄膜的漏电流密度。
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公开(公告)号：CN105859152A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610201240.7
申请日：2016-03-31
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C2217/217
Abstract: 本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法，该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1?x?yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜，再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜，形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合，大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能，还有效的降低了薄膜的漏电流密度。
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