公开(公告)号：CN113078625A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110314789.8

申请日：2021-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  袁一鸣 ,  张文霞 ,  戚飞 ,  张楠 ,  袁素真

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/20 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。

公开(公告)号：CN116947739A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310447019.X

申请日：2023-04-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐孝生 ,  陈光昊 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  曾福嘉 ,  张楠 ,  戚飞

IPC: C07D211/56 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及一种有机无机杂化新型无铅钙钛矿晶体的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿材料制备技术领域。本发明主要是以四氨基哌啶(4amp)、氯化锌(ZnCl2)粉末和三氯化锑(SbCl3)为原料，在盐酸存在下在可控温烘箱中进行反应。不同于(4amp)2ZnCl4在365nm紫外光波长的激发光下发出蓝光)，本发明制备得到的钙钛矿晶体(Sb3+:(4amp)2ZnCl4微晶)掺杂Sb3+后经过365nm的紫外光激发后发出粉红色光，且具有晶体稳性好、发光特性优异的特点；另外本发明的制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。

公开(公告)号：CN115498106A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211347112.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  许楠楠 ,  袁一鸣 ,  曾福嘉 ,  陈光昊 ,  冉倩 ,  张文霞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。