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公开(公告)号：CN106467977B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610895054.8
申请日：2016-10-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了一种制备Al/Bi2O3纳米含能材料复合薄膜的方法，该方法是以纳米级铝粉和三氧化二铋粉体作为沉积相，以氨基硅烷或甲基丙烯酰氧基硅烷为粘结剂，采用电泳沉积法获得分布均匀的Al/Bi2O3纳米含能材料复合薄膜。本发明方法制备的Al/Bi2O3纳米含能复合薄膜膜厚可控、组分分布均匀、附着力强、纯度高无杂质、放热性能优良、燃烧性能佳。本发明方法具有一定的普适性，对于其他微纳米粒子的定向组装都能高效率的得到形貌均匀的薄膜产品。本方法工艺条件简单，反应材料廉价，成膜速率高，适合工业成产，可广泛的应用于生物医药，军工，微机电子等众多领域，市场应用前景好。
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公开(公告)号：CN107245746A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710290510.0
申请日：2017-04-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: Al/CuO铝热剂及其制备方法，该方法包括：采用电沉积法制备柳叶状CuO阵列薄膜；采用以柳叶状CuO阵列薄膜作为阴极的电泳法来制备Al/CuO铝热剂。本发明首先采用电化学沉积方法制备新型的柳叶状CuO纳米阵列，然后再结合电泳沉积技术组装了Al/CuO纳米铝热剂，减小了铝热剂体系中氧化剂和还原剂之间的空间接触距离，提高了燃烧速率和放热性能。
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公开(公告)号：CN106467977A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610895054.8
申请日：2016-10-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了一种制备Al/Bi2O3纳米含能材料复合薄膜的方法，该方法是以纳米级铝粉和三氧化二铋粉体作为沉积相，以氨基硅烷或甲基丙烯酰氧基硅烷为粘结剂，采用电泳沉积法获得分布均匀的Al/Bi2O3纳米含能材料复合薄膜。本发明方法制备的Al/Bi2O3纳米含能复合薄膜膜厚可控、组分分布均匀、附着力强、纯度高无杂质、放热性能优良、燃烧性能佳。本发明方法具有一定的普适性，对于其他微纳米粒子的定向组装都能高效率的得到形貌均匀的薄膜产品。本方法工艺条件简单，反应材料廉价，成膜速率高，适合工业成产，可广泛的应用于生物医药，军工，微机电子等众多领域，市场应用前景好。
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公开(公告)号：CN103088371B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310030322.6
申请日：2013-01-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 纳米铜立方体颗粒的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.02～0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2～0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%～4%，电镀液pH值为5.0～7.5；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102321892B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110266645.6
申请日：2011-09-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种复合型活性阴极制备方法，包括：提供作为阴极基体的Ni网；配置过渡层涂覆液，其中Pd(NO3)2的含量为5～10g/L；将过渡层涂覆液涂覆于Ni网上并进行烘干和热分解处理以在Ni网上得到过渡层；配置活性层涂覆液，其中H2PtCl6·6H2O和RuCl3·3H2O的含量分别为10～15g/L和6～10g/L；以及将活性层涂覆液涂覆于具有过渡层的Ni网上并进行烘干和热分解处理以在过渡层上得到活性层。根据上述方法制备的复合型活性阴极的组成为Ni/PdO/RuO2-Pt，基体表面的过渡层与活性层通过分开涂覆来实现，涂覆层中钯元素负载量仅为0.3～0.4g/m2，涂覆层制作过程为“预烘干+热分解”，避免了气孔的产生，极大地改善了过渡层与Ni基体结合力，使电极整体稳定性好，抗反向电流冲击和抗中毒能力大大增强。
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公开(公告)号：CN1865541A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610054245.8
申请日：2006-04-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。
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公开(公告)号：CN113899427B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111195869.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01F23/22
Abstract: 分区组合加热型超导液位计，包括：竖向设置的超导丝；用于测量超导丝两侧电压的测压电路；至少一条加热丝，邻近且平行于超导丝设置，用于加热超导丝；恒流电源，与加热丝形成加热回路，以及控制器，根据测压电路所测超导丝两端电压而控制输出相应的液氦高度位置。本发明的液位计可满足极限高度(过高或过低液位)测量，特别是在过低液位测量时，能够将加热源处于下部，极大提高液位测量精度，减少液氦挥发。
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公开(公告)号：CN115440966A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211264819.X
申请日：2022-10-17
Applicant: 贵州梅岭电源有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种铜修饰的氟化碳/氧化铌复合正极材料及其制备方法，首先以乙醇铌、过氧化氢、氟化科琴黑为原料，乙醇为溶剂，经过溶胶、干燥、煅烧，制备氟化科琴黑/α‑Nb2O5复合正极材料，再以硫酸铜为原料，以水为溶剂，加入表面活性剂，采用水溶剂法制备铜修饰氟化科琴黑/α‑Nb2O5复合正极材料。五氧化二铌的复合可以提高材料的导电性，改善高倍率放电下的电压滞后，铜修饰在进一步提高正极材料的导电性，降低电池材料内阻的同时，可以提高氟化科琴黑材料的离子导电性，有效提高锂氟化碳电池功率性能，此外，铜修饰还能够在放电过程中稳定电极材料，进一步提升电性能。
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公开(公告)号：CN113845397A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111115023.3
申请日：2021-09-23
Applicant: 重庆大学
IPC: C06B33/02
Abstract: 多孔空心结构铝热剂及其制备方法，该方法包括：将葡萄糖水溶液的水热反应产物离心分离并干燥后得到碳球颗粒；将所得碳球颗粒、硝酸铜和氨水在水中超声分散后形成第一悬浮液；将所形成的第一悬浮液进行水浴老化反应；将老化反应产物离心分离并干燥后得到C/Cu前驱体；将所得C/Cu前驱体煅烧后得到空心CuO；再将所得空心CuO、纳米铝粉超声分散于异丙醇和聚乙烯亚胺(PEI)–乙醇混合液后形成第二悬浮液；将所形成的第二悬浮液进行电泳以在阴极沉积得到多孔空心结构的Al/CuO铝热剂。
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