公开(公告)号：CN100497764C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610054246.2

申请日：2006-04-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  杨建春 ,  王力春 ,  黄辉 ,  聂福德 ,  郁卫飞

IPC: C30B33/10 ,  C09K11/59

Abstract: 一种n型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括n型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备n型多孔单晶硅片，需同时用碘钨灯照射其抛光面、然后对n型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的n型多孔单晶硅片。

公开(公告)号：CN100497763C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610054245.8

申请日：2006-04-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  刘成伦 ,  王力春 ,  黄辉 ,  聂福德 ,  黄亨健

IPC: C30B33/10 ,  C09K11/59

Abstract: 一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。

公开(公告)号：CN1865542A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610054246.2

申请日：2006-04-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  杨建春 ,  王力春 ,  黄辉 ,  聂福德 ,  郁卫飞

IPC: C30B33/10 ,  C09K11/59

Abstract: 一种n型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括n型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备n型多孔单晶硅片，需同时用碘钨灯照射其抛光面、然后对n型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的n型多孔单晶硅片。

公开(公告)号：CN1865541A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610054245.8

申请日：2006-04-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黎学明 ,  刘成伦 ,  王力春 ,  黄辉 ,  聂福德 ,  黄亨健

IPC: C30B33/10 ,  C09K11/59

Abstract: 一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。