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公开(公告)号：CN105699775B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201610156973.3
申请日：2016-03-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提供的IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法，包括对IGBT加热，测量小电流密度下FWD导通压降；对FWD加热，测量小电流密度下IGBT的饱和压降，根据测量小电流密度下FWD导通压降和IGBT的饱和压降，间接获取IGBT与FWD结温变化曲线，计算得到连续变化的耦合热阻抗曲线，通过所述耦合热阻抗曲线拟合得到IGBT与FWD的耦合热阻抗；本发明通过较为简单的方法通过对端部电气特征量的测量来提取IGBT模块的耦合热阻抗，进而建立较为完善的IGBT综合热网络模型，本发明通过将IGBT模块视为一个黑盒子，忽略其内部封装结构，在不破坏模块封装的情况下，利用现有的热敏参数法测量热阻的原理，采用离散化测量方波，实现对耦合热阻抗的测量，本发明具有简单有效、响应快速、测量准确的优点。
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公开(公告)号：CN106168647B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610368682.0
申请日：2016-05-27
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供的一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机；能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量，从而能够准确判断IGBT的老化状态。
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公开(公告)号：CN106168647A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610368682.0
申请日：2016-05-27
申请人： 重庆大学
CPC分类号： G01R31/2608 , G01R19/00
摘要： 本发明提供的一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机；能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量，从而能够准确判断IGBT的老化状态。
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公开(公告)号：CN112114237B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011016747.8
申请日：2020-09-24
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路，该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点，通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态；具体的，以IGBT模块门极电荷为监测对象，通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况；并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积，以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测，同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估，提高模块和系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN106443405B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610318578.0
申请日：2016-05-13
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供的多IGBT模块多老化特征量提取装置，包括待测IGBT模块、老化特征量测量主板和驱动电路，所述驱动电路设置于老化特征量测量主板，所述待测IGBT模块为多个，多个待测IGBT模块并联设置在老化特征量测量主板的测量工位，通过老化特征量测量主板获取待测IGBT模块的老化特征量参数；本发明中的多IGBT模块多老化特征量提取装置，可以在同一恒温环境下，对多个IGBT的多个老化特征量进行快速测量，最大限度的减少了测量时间和保证了测量环境的一致性，本发明通过饱和导通压降、传输特性曲线、寄生电容和IGBT开关暂态波形多种老化特征量共同进行判断，保证了测量结果的准确度。
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