公开(公告)号：CN102142346A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010623682.3

申请日：2010-12-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·勒迈尔 ,  J·万 ,  S·扎利乌波夫斯基 ,  A·I·梅什科夫

IPC: H01J35/24 ,  H01J35/06 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J1/20 ,  H01J1/26 ,  H01J35/06 ,  Y10T29/49208

Abstract: 本发明X-射线阴极及其制造方法所公开的实施例包括诸如X-射线管阴极灯丝系统的实施例。该X-射线管阴极灯丝系统包括衬底和设置在衬底上的涂层(74)。在该阴极灯丝系统中，从涂层(74)而不是从衬底发射电子束(18，90)。电子束(18，90)是通过利用热离子效应产生的。

公开(公告)号：CN109952281B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201780070717.5

申请日：2017-09-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G·H·柯比 ,  J·万

IPC: C04B41/00 ,  C04B41/80 ,  C04B41/89

Abstract: 提供一种陶瓷组件，其包括包含含硅材料的硅基层(例如，硅金属和/或硅化物)和掺杂硼的耐火化合物，例如，按体积计约0.001％至约85％的掺杂硼的耐火化合物(例如，按体积计约1％至约60％的掺杂硼的耐火化合物)。还提供一种涂覆的组件，其包括：限定表面的CMC组件；直接在CMC组件表面上的粘合涂层，粘合涂层包括含硅材料和掺杂硼的耐火化合物(例如，约0.1％至约25％的掺杂硼的耐火化合物)；粘合涂层上的热生长氧化物层；以及热生长氧化物层上的环境障涂层。

公开(公告)号：CN111348940A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911320590.5

申请日：2019-12-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·L·卢思拉 ,  J·万

IPC: C04B41/89

Abstract: 本发明提供了一种涂层部件，以及其形成和使用的方法。涂层部件包括陶瓷基复合材料(CMC)基底，该基底包含碳化硅并且在它的表面上具有莫来石粘结涂层。莫来石粘结涂层包括包含在莫来石相内的吸氧剂相。例如，莫来石粘结涂层可包含60体积％至体积98％的莫来石相。环境屏障涂层在莫来石粘结涂层上。

公开(公告)号：CN111348939A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911319261.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·L·卢思拉 ,  J·万

IPC: C04B41/89

Abstract: 本发明提供了一种涂层部件及其制备和使用方法。该涂层部件包括：包含碳化硅且具有表面的陶瓷基复合材料基底即CMC基底；在基底表面的莫来石/NOSC粘结涂层；以及在莫来石/NOSC粘结涂层上的环境屏障涂层。该莫来石/NOSC粘结涂层包括包含于莫来石相内的非氧化物硅陶瓷相即NOSC相，该莫来石/NOSC粘结涂层包含60体积％至95体积％的莫来石相，例如65体积％至93体积％的莫来石相。

公开(公告)号：CN109982838A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780071063.8

申请日：2017-09-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G·H·柯比 ,  J·万

IPC: B32B7/027 ,  B32B18/00 ,  C23C14/18

Abstract: 提供了一种组合物，其包括含硅材料(例如，硅金属和/或硅化物)和约0.001％至约85％的含Ga化合物、含In化合物或它们的混合物。硅基层可以是直接在基底表面的粘合涂层。可选地或另外地，硅基层可以是限定基底表面的外层，在基底表面上具有环境障涂层。还提供了涂覆的组件，以及一种涂覆陶瓷组件的方法。还提供了包括这种陶瓷组件的燃气涡轮发动机。

公开(公告)号：CN105164087B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201480016254.0

申请日：2014-03-11

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·万 ,  M·K·布伦 ,  P·J·梅施特 ,  R·萨拉菲-诺尔 ,  D·M·利普金

IPC: C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C23C14/06 ,  F01D5/28

CPC classification number: C09D5/084 ,  B05D7/52 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C28/42 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/177 ,  Y10T428/2495 ,  C04B35/565 ,  C04B35/806 ,  C04B35/584 ,  C04B35/58085 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5071

Abstract: 一种制品，包括基材和设置在基材表面上的涂层。该涂层包括至少一个基本上由MoSi2或WSi2或(Mo，W)Si2或铂族金属硅化物构成的金属硅化物层，和至少一个基本上由Si3N4构成的层。

公开(公告)号：CN105916830A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480060109.2

申请日：2014-08-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·M·利普金 ,  C·A·约翰逊 ,  J·L·马戈利斯 ,  L·S·罗森斯维希 ,  J·万

IPC: C04B41/89 ,  F01D5/28

CPC classification number: C04B41/009 ,  B05D1/02 ,  B05D1/32 ,  B05D3/007 ,  B05D3/06 ,  B05D5/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  F01D5/286 ,  F01D5/288 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/2283 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24545 ,  C04B35/565 ,  C04B35/806 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/0036 ,  C04B41/53

Abstract: 一种形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅区域上形成含硅层；在含硅层中形成多个沟道和隆起；和形成覆盖含硅区域的表面的至少一个外层。该多个沟道和隆起可通过对含硅层添加含硅材料而形成。该沟道和隆起可通过从含硅层去除材料而形成。沟道和隆起可通过在形成含硅层之前，在基底的表面的含硅区域中形成沟道或沟槽而形成。