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公开(公告)号:CN107925358A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680047700.3
申请日:2016-06-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H02M5/458 , H02J3/36 , H02M5/456 , H02M7/19 , H02M7/213 , H02M7/219 , Y02E60/60
Abstract: 一种高电压直流(HVDC)输电系统包括交流(AC)电源和功率变换器通道,所述功率变换器通道包括电连接到所述电源的交流-直流变换器以及电连接到所述交流-直流变换器的直流-交流逆变器。所述交流-直流变换器和所述直流-交流逆变器各自包括多个支路,所述多个支路包括至少一个开关装置。所述功率变换器通道还包括以通信方式连接到一个或多个开关装置的换流电路。所述换流电路配置成在H桥开关电路的周期的第一部分期间“开通”所述开关装置中的一个开关装置,并且在所述第一H桥开关电路和第二H桥开关电路中的所述周期的第二部分期间“关断”所述开关装置。
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公开(公告)号:CN106936327A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201611245010.7
申请日:2016-12-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02M7/537
CPC classification number: G06F1/324 , G06F1/3287 , H01L29/1608 , H02M1/08 , H02M3/158 , H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M2001/0054 , H02M2001/007 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491 , H02M7/537
Abstract: 本发明题为混合转换器系统。一种电压转换器(10)可包括耦合到第一直流(DC)电压源(20)的硅(Si)基功率装置的第一组(12)以及耦合到第二DC电压源(22)的Si基功率装置的第二组(12)。该电压转换器还可包括碳化硅(SiC)基功率装置的第一组(14),所述碳化硅(SiC)基功率装置的第一组(14)耦合到Si基功率装置的第一组(12)并且耦合到Si基功率装置的第二组(12)。SiC基功率装置的第一组(14)的每个SiC基功率装置(14)与Si基功率电子装置的第一组和第二组(12)的每个Si基功率装置相比可以以较高频率进行切换。
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公开(公告)号:CN109792158B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN201780053288.0
申请日:2017-05-02
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 混合有功功率链路装置包括多个有功功率链路模块(APLM)。多个APLM的每个APLM包括多个开关装置,所述多个开关装置包括串联耦合的第一开关装置和第二开关装置。多个APLM的每个APLM还包括与第一开关装置和第二开关装置两者并联耦合的至少一个第一类型能量存储装置(ESD)。混合有功功率链路装置还包括与多个APLM中的至少一个APLM串联耦合的至少一个第二类型ESD。
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公开(公告)号:CN110352554A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201780088032.3
申请日:2017-12-21
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02M7/5387 , H02S40/32
Abstract: 包括了用于在能量系统中使用的功率转换器。例如,能量系统可包括配置成提供低压直流功率的输入功率源。能量系统可包括功率转换器,功率转换器配置成使由输入功率源提供的低压直流功率转换成适合于提供给交流功率系统的中压多相交流输出功率。功率转换器可包括多个转换模块。各转换模块包括多个桥式电路。各桥式电路包括串联耦合的多个碳化硅开关装置。各转换模块配置成在能量系统的线路总线上提供中压多相交流输出功率的单相。
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公开(公告)号:CN106936327B
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201611245010.7
申请日:2016-12-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02M7/537
CPC classification number: G06F1/324 , G06F1/3287 , H01L29/1608 , H02M1/08 , H02M3/158 , H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M2001/0054 , H02M2001/007 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明题为混合转换器系统。一种电压转换器(10)可包括耦合到第一直流(DC)电压源(20)的硅(Si)基功率装置的第一组(12)以及耦合到第二DC电压源(22)的Si基功率装置的第二组(12)。该电压转换器还可包括碳化硅(SiC)基功率装置的第一组(14),所述碳化硅(SiC)基功率装置的第一组(14)耦合到Si基功率装置的第一组(12)并且耦合到Si基功率装置的第二组(12)。SiC基功率装置的第一组(14)的每个SiC基功率装置(14)与Si基功率电子装置的第一组和第二组(12)的每个Si基功率装置相比可以以较高频率进行切换。
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公开(公告)号:CN109792158A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780053288.0
申请日:2017-05-02
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H02M3/158 , H02J1/10 , H02J7/0024 , H02J7/1423 , H02J7/34 , H02J9/002
Abstract: 混合有功功率链路装置包括多个有功功率链路模块(APLM)。多个APLM的每个APLM包括多个开关装置,所述多个开关装置包括串联耦合的第一开关装置和第二开关装置。多个APLM的每个APLM还包括与第一开关装置和第二开关装置两者并联耦合的至少一个第一类型能量存储装置(ESD)。混合有功功率链路装置还包括与多个APLM中的至少一个APLM串联耦合的至少一个第二类型ESD。
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公开(公告)号:CN104347616B
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201410357144.2
申请日:2014-07-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L2924/0002
Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底,氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构,其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。
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