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公开(公告)号：CN116805633A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310272425.7
申请日：2023-03-17
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/552
摘要： 本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
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公开(公告)号：CN116137277A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211377910.2
申请日：2022-11-04
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种暗电流抑制图像传感器和用于抑制图像传感器中的暗电流的方法。暗电流抑制图像传感器包括半导体衬底和薄结。半导体衬底包括前表面、与前表面相反的后表面、光电二极管以及在前表面与后表面之间的凹表面。凹表面从后表面向前表面延伸，并限定沟槽，沟槽在平行于后表面的截面平面中围绕光电二极管。薄结从凹表面延伸到半导体衬底中，并且是半导体衬底的区域。半导体衬底包括位于薄结与光电二极管之间的、具有第一导电类型的第一衬底区域。光电二极管和薄结具有与第一导电类型相反的第二导电类型。
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公开(公告)号：CN114078894B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110912830.1
申请日：2021-08-10
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构。一种像素单元包含光电二极管，所述光电二极管经安置成接近于半导体层的前侧以响应于引导穿过所述半导体层的背侧的入射光而产生图像电荷。单元深沟槽隔离CDTI结构沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径安置且接近于所述半导体层的所述背侧。所述CDTI结构包含布置于所述半导体层中的多个部分。所述多个部分中的每一者从所述背侧朝向所述半导体层的所述前侧延伸相应的深度。所述多个部分中的每一者的所述相应深度不同于所述多个部分中的相邻者的相应深度。所述多个部分中的每一者在所述半导体层中与所述多个部分中的所述相邻者横向分离且间隔开。
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公开(公告)号：CN112670306B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202011051235.5
申请日：2020-09-29
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及CMOS图像传感器中的垂直栅极结构及布局。一种像素单元包含掩埋于半导体材料的第一侧底下且经耦合以响应于入射光而光生图像电荷的光电二极管。转移栅极安置于所述光电二极管上方且包含从所述第一侧向所述半导体材料中延伸第一距离的垂直转移栅极部分。浮动扩散区域安置在所述半导体材料中接近于所述转移栅极，所述转移栅极经耦合以响应于转移控制信号而将所述图像电荷从所述光电二极管朝向所述半导体材料的所述第一侧及向所述浮动扩散区域中转移。具有第一栅极的第一像素晶体管安置在所述光电二极管上方接近于所述半导体材料的所述第一侧。所述第一栅极具有在所述半导体材料的所述第一侧处横向环绕所述浮动扩散区域及所述转移栅极的环圈形结构。
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公开(公告)号：CN115249720A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210135944.4
申请日：2022-02-15
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开涉及具有部分环绕电路系统的光电二极管区域的像素布局。图像传感器包括第一光电二极管区域及电路系统。所述第一光电二极管区域在半导体衬底内安置成靠近所述半导体衬底的第一侧以形成第一像素。所述第一光电二极管区域包含耦合到第二区段的第一区段。所述电路系统至少包含与第一晶体管相关联的第一电极。所述第一电极至少部分地安置在所述第一光电二极管区域的所述第一区段与所述第二区段之间，使得当从所述半导体衬底的所述第一侧观察时，所述电路系统至少部分地被所述第一光电二极管区域环绕。
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公开(公告)号：CN115207006A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210131886.8
申请日：2022-02-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 本申请案涉及用于图像传感器的具有垂直栅极结构的双浮动扩散晶体管。像素电路包含安置于半导体衬底中的光电二极管及浮动扩散部。传送门安置于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将光生图像电荷从所述光电二极管传送到所述浮动扩散部。双浮动扩散DFD晶体管耦合于所述浮动扩散部与DFD电容器之间。所述DFD晶体管包含DFD栅极，所述DFD栅极包含安置于所述半导体衬底的表面之上的平面栅极部分及从所述平面栅极部分垂直延伸到所述半导体衬底中的垂直栅极部分。所述DFD栅极的所述垂直栅极部分经配置以增加所述DFD晶体管的栅极到衬底耦合电容。所述栅极到衬底耦合电容及所述DFD电容器经耦合以响应于所述DFD晶体管被接通增加与所述浮动扩散部相关联的有效电容。
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公开(公告)号：CN112825322A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202010947311.4
申请日：2020-09-10
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种像素包括半导体衬底、光电二极管区域、浮动扩散区域和介电层。衬底具有形成沟槽的顶表面，沟槽由介电层做衬里，并且具有相对于顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在衬底中，并且包括在沟槽下方的底部光电二极管部分和与沟槽相邻的顶部光电二极管部分，顶部光电二极管部分邻接底部光电二极管部分，并且朝向平面区域延伸到小于沟槽深度的光电二极管深度。浮动扩散区域与沟槽相邻，并且具有小于沟槽深度的结深度。介电层的顶部区域在平面区域和结深度之间。介电层的底部区域在光电二极管深度和沟槽深度之间，并且比顶部区域厚。
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公开(公告)号：CN114497093B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111175633.2
申请日：2021-10-09
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种像素阵列基板和一种图像传感器中的像素阵列的像素单元。像素阵列基板包括在半导体基板中形成的浮动扩散区域和第一光电二极管。所述半导体基板的顶表面限定出沟槽1A和沟槽1B，所述沟槽1A和所述沟槽1B中的每一个(i)从所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的所述顶表面的平面区域延伸到所述半导体基板中，并且(ii)具有位于所述浮动扩散区域和所述第一光电二极管之间的相对于所述浮动扩散区域的相应的远端。在平行于所述顶表面的水平面中并且沿着所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的沟槽间方向，所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的第一空间间隔随着与所述浮动扩散区域的距离的增加而增加。
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公开(公告)号：CN117954465A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311430288.1
申请日：2023-10-31
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/771 , H04N25/53 , H04N25/60
摘要： 一种全局快门像素包括具有存储节点和光电二极管区域的半导体衬底。衬底的前表面具有在平行于前表面的第一方向上在光电二极管区域与存储节点之间的第一凹陷区域，和在第一方向上在第一凹陷区域与存储节点之间的第二凹陷区域。第一凹陷区域和第二凹陷区域延伸到衬底中至相应的第一凹陷深度和超过第一凹陷深度的第二凹陷深度。光电二极管区域包括(i)第一掺杂部段，该第一掺杂部段跨越深度范围并具有第一掺杂剂浓度，和(ii)第二掺杂部段，该第二掺杂部段在前表面与第一掺杂部段之间并具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。第一掺杂部段包括在第一方向上至少部分地在第一凹陷区域下方延伸的突伸部。
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公开(公告)号：CN116799018A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211662618.5
申请日：2022-12-23
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/417
摘要： 本申请案涉及双深度结结构及工艺方法。晶体管包含：栅极沟槽，其形成在半导体衬底中且延伸到栅极沟槽深度；及源极及漏极，其形成为所述半导体衬底中的掺杂区且具有第一导电类型。所述源极及所述漏极分别沿着所述晶体管的沟道长度方向形成在所述栅极沟槽的第一端及第二端处，且所述源极及所述漏极各包含第一掺杂区及远离所述第一掺杂区延伸的第二掺杂区。所述第二掺杂区在所述半导体衬底中相对于所述半导体衬底的表面延伸到比所述第一掺杂区更深的深度。
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