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公开(公告)号：CN111630050B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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