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公开(公告)号：CN114866038A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210495988.8
申请日：2022-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种运算放大器电路及其驱动方法，涉及集成电路技术领域，包括：第一逆变器晶体管，其与输入端电连接；第二逆变器晶体管，其与第一逆变器晶体管电连接，第二逆变器晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，位于第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极之间包括第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管的源极与第一晶体管的漏极电连接于第一节点，第四晶体管的栅极与第一节点电连接；第二晶体管的漏极与第四晶体管的源极电连接于第二节点，第三晶体管的栅极与第二节点电连接；第三晶体管的漏极与第四晶体管的漏极电连接；第三逆变器晶体管，其与第二逆变器晶体管电连接，第三逆变器晶体管与输出端电连接。本申请有效缩短信号建立所需时间。
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公开(公告)号：CN114815954A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210417802.7
申请日：2022-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路，包括：后端电路和与所述后端电路电连接的一个MOSFET器件；所述MOSFET器件的阈值电压为零限值；采用所述MOSFET器件的栅电压控制进行预稳压为所述后端电路提供预稳压电位。本发明仅仅使用一个阈值电压为零限值的MOSFET器件或者耗尽型的MOSFET器件就可以实现预稳压，分别使用正栅电压控制与背栅电压控制实现预稳压，预稳压部分不引入额外的电流支路，其上所消耗电流为系统本身固有电流损耗，没有额外的电流损耗，且大幅度提升基准电压的PSRR特性，实现良好的预稳压效果；单个器件实现电路最小化，最小化芯片面积；不涉及稳定性问题，设计更加简单，应用范围较广，可以应用在高压预稳压集成电路设计等领域。
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公开(公告)号：CN113721695B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110961965.7
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双模式低压差线性稳压器及其电路和电子产品。双模式低压差线性稳压器包括：低压差线性稳压主模块、基准电压模块和基准调节模块；所述基准调节模块的输出端与所述低压差线性稳压主模块的第二输入端连接；所述基准电压模块，用于对电源电压进行处理，输出第一基准电压；所述基准调节模块，用于对所述电源电压和所述第一基准电压进行处理，输出第二基准电压；所述低压差线性稳压主模块，用于基于所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述输入端输入的输入电压，在所述第一输出端和地端之间输出第一电压，在所述第二输出端和所述输入端之间输出第二电压。可以根据实际应用场景切换为不同的工作模式，得到稳定的输出电压。
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公开(公告)号：CN114326910A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111654998.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电压生成电路，涉及带隙基准集成电路领域，包括：反馈型启动与偏置电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压输出电路。本发明能快速启动产生基准电压，降低带隙基准电压温漂系数，提高电源抑制比，使输出的基准电压受电源电压、温度的影响降低。同时通过数字信号控制手段，采用数字修调电路结构对输出电压进行补偿，从而获取精准的输出电压，在总体上提升带隙基准电路的性能。
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公开(公告)号：CN114866038B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210495988.8
申请日：2022-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种运算放大器电路及其驱动方法，涉及集成电路技术领域，包括：第一逆变器晶体管，其与输入端电连接；第二逆变器晶体管，其与第一逆变器晶体管电连接，第二逆变器晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，位于第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极之间包括第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管的源极与第一晶体管的漏极电连接于第一节点，第四晶体管的栅极与第一节点电连接；第二晶体管的漏极与第四晶体管的源极电连接于第二节点，第三晶体管的栅极与第二节点电连接；第三晶体管的漏极与第四晶体管的漏极电连接；第三逆变器晶体管，其与第二逆变器晶体管电连接，第三逆变器晶体管与输出端电连接。本申请有效缩短信号建立所需时间。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115291660A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210702113.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低压差线性稳压器过冲抑制电路及其驱动方法，涉及模拟集成电路技术领域，包括：过冲检测电容，与低压差线性稳压器的输出端电连接，用于检测低压差线性稳压器的输出端的过冲电压；过冲电压处理电路，与过冲检测电容电连接，用于将过冲电压转化成对应的使能信号；过冲反馈调节电路，与过冲处理电路电连接；过冲反馈调节电路包括第一信号端和输出端，过冲反馈调节电路的第一信号端与低压差线性稳压器的功率管的栅极电连接；过冲反馈调节电路响应所述使能信号，用于调节低压差线性稳压器的功率管的栅极电压，以及用于稳定过冲反馈调节电路的输出端的电压。本申请能够有效稳定低压差线性稳压器的输出端的输出电压。
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公开(公告)号：CN114266212B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111329377.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明提供的一种半导体器件可靠性测试方法及装置，通过提供一整套理论、仿真、实验三位一体的器件纳米级分析其具体的毁伤机理的方法，根据该方法可以分析高电子迁移率晶体管、互补金属氧化物半导体、双极结型晶体管等的损伤机制，为后期的器件结构优化及可靠性加固提供指导作用，从底层上了解芯片的毁伤机理，为后期的同等规模级别芯片产品优化和鲁棒性的提高起到明显改善的作用。
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公开(公告)号：CN114266212A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111329377.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明提供的一种半导体器件可靠性测试方法及装置，通过提供一整套理论、仿真、实验三位一体的器件纳米级分析其具体的毁伤机理的方法，根据该方法可以分析高电子迁移率晶体管、互补金属氧化物半导体、双极结型晶体管等的损伤机制，为后期的器件结构优化及可靠性加固提供指导作用，从底层上了解芯片的毁伤机理，为后期的同等规模级别芯片产品优化和鲁棒性的提高起到明显改善的作用。
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公开(公告)号：CN113985953A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111172489.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有过温保护与软启动特性的非带隙基准源，包括：基准模块，用于产生基准电压信号和过温采样信号；逻辑控制模块，连接基准模块，用于根据基准电压信号和过温采样信号产生控制信号；过温保护与软启动模块，连接和逻辑模块，用于根据控制信号产生软启动信号和过温保护信号，以对整个电路系统的工作状态进行调整。本发明提供的电路不仅同时具备过温保护与软启动功能，且避免了另外设计基准切换电路，大大提升了系统工作的线性度，提高了输出基准的PSRR特性。
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