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公开(公告)号:CN120068649A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202510227078.5
申请日:2025-02-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F17/16 , G06N3/0442 , G06N3/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种变曲率频率选择表面单元散射场的预测方法,对频率选择表面单元曲率进行对数采样,生成曲率采样点样本集,建立频率选择表面单元模型库并分别进行仿真求解,得到不同曲率频率选择表面单元的近场数据;求解无穷小偶极子位矢矩阵和无穷小偶极子组中的偶极矩,得到不同单元的偶极矩数据集;搭建长短期记忆深度神经网络模型,调整神经网络模型超参数,训练神经网络模型;预测偶极矩,并结合无穷小偶极子组位矢矩阵对频率选择表面单元散射场进行求解,完成频率选择表面单元散射场的预测。本发明能够准确计算任意曲率特征的频率选择表面单元散射场,提高了频率选择表面的设计效率,对于大规模频选表面散射计算具有重要的工程应用价值。
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公开(公告)号:CN114580190B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202210243263.X
申请日:2022-03-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图分析方法,包括确定贴片天线的设计参数和材料参数,计算贴片天线的分析参数;分析参数结合贴片天线传输线分析法的理论假设,确定单个等效面磁流的辐射,确定传输线分析方法的方向图函数,得到材料的等效系数,进而得到微带线的等效相对介电常数,最终得到等效面磁流间距;根据等效面磁流间距和传输线分析方法的理论假设,得到基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图,分析贴片天线的辐射特性。本发明可精确分析贴片天线辐射特性,对于实际工作中的贴片天线电性能分析具有很强的工程意义。
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公开(公告)号:CN116796567A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310833334.6
申请日:2023-07-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于无穷小偶极子模型的阵列天线高阶互耦效应分析方法,具体步骤如下:步骤1,计算阵元互导纳,构建一阶与高阶互耦效应的数学关系:步骤2,建立N元阵列的高阶互耦效应的导纳表达式。该方法通过考虑了阵元间的高阶互耦效应,能够进一步提高阵列天线辐射场的计算精度。
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公开(公告)号:CN114580190A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202210243263.X
申请日:2022-03-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图分析方法,包括确定贴片天线的设计参数和材料参数,计算贴片天线的分析参数;分析参数结合贴片天线传输线分析法的理论假设,确定单个等效面磁流的辐射,确定传输线分析方法的方向图函数,得到材料的等效系数,进而得到微带线的等效相对介电常数,最终得到等效面磁流间距;根据等效面磁流间距和传输线分析方法的理论假设,得到基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图,分析贴片天线的辐射特性。本发明可精确分析贴片天线辐射特性,对于实际工作中的贴片天线电性能分析具有很强的工程意义。
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