公开(公告)号：CN113889535A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111151729.5

申请日：2021-09-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘伟峰 ,  张栋 ,  宋建军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种无线弱能量收集用表面沟道MOSFET及其制备方法，采用新的接线方式接入微波无线能量收集系统，同时利用应变Si材料作为MOSFET的沟道材料，同时实现了低阈值电压和高沟道迁移率，提高了整流效率，产品和方法新颖、器件集成度高、工艺成本低。

公开(公告)号：CN113517348A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110720838.8

申请日：2021-06-28

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 刘伟峰 ,  张栋 ,  宋建军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、调制Ge掺杂外延层、本征Ge隔离层、nMOS沟道层、本征三元合金异质帽层、氧化铪层、氮化钽层、源漏区、介质层、源电极、漏电极和钝化层；氧化铪层和氮化钽层形成栅极区；本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.08～0.1；nMOS沟道层为本征DR‑Ge1‑zSnz层；其中，z的范围为0.12‑0.18。本发明还提供一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件的制备方法。本发明的器件解决了Ge基沟道增强型nMOS表面沟道不反型的问题，消除了界面态引起的沟道区费米钉扎效应，利于器件沟道的开启，同时采用高电子迁移率DR‑GeSn作为沟道材料，且在沟道区输运时电子无表面粗糙度散射和离化杂质散射，使得器件性能指标优异。

公开(公告)号：CN112306088A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011082282.6

申请日：2020-10-12

Applicant: 西北工业大学 ,  西安电子科技大学

Inventor： 张栋 ,  张鹏飞 ,  郑元世 ,  闫晓东 ,  许斌

IPC: G05D1/10

Abstract: 本发明涉及一种基于DSP的多无人机系统的协同任务规划器，属于多无人机协同任务规划领域。每个无人机包括硬件通信模块、DSP核心处理器、以及预留的与飞控模块、传感器连接的接口，硬件通信模块接收其他无人机的硬件通信模块的数据并将其发送给DSP核心处理器，DSP核心处理器对硬件通信模块和传感器发送的数据进行数据类型识别并发送给对应的功能模块进行解算，各个无人机个体起飞前预载参与本次任务各无人机的载荷信息、预载地图信息、预载航路点信息以及预载任务，起飞后只需要与其近临的无人机之间进行定位信息、航路点信息、自身载荷、任务决策信息的交互，便可以形成期望的编队结构稳定飞行，实现整个无人机系统的协同任务规划。