-
公开(公告)号：CN106410045B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201611123706.2
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
-
公开(公告)号：CN106876489B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710074139.4
申请日：2017-02-10
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括：在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃；在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层；在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极；在整个衬底表面制作第二空穴传输层；在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层；在所述第二光吸收层表面制作栅电极，最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN108598266A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810466776.0
申请日：2018-05-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属材料形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积HfO2形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属材料形成上电极，形成基于隧穿效应的钙钛矿光电器件。所述钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、HfO2隧穿层、Si衬底和下电极。本发明的钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括HfO2隧穿层，结构和制备工艺简单，减少光生电子与光生空穴的复合，增大光电流，提高光电器件的灵敏度和效率。
-
公开(公告)号：CN107644939A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710848505.7
申请日：2017-09-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种宽谱响应光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面制作底电极；(c)在所述底电极表面制作光吸收层；(d)在所述光吸收层表面制作顶电极以完成所述宽谱响应光电探测器的制备。本发明提供的宽谱响应光电探测器，采用了双异质结结构，从而形成双势垒，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电探测器的器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN106549107A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611125225.5
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/0077 , H01L51/428 , H01L51/442
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH3NH3PbI3材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN109037450B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810592160.8
申请日：2018-06-11
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe2材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料和MoSe2材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。
-
公开(公告)号：CN107591487B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710848508.0
申请日：2017-09-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种平面型光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；在所述衬底表面制作光吸收层；在所述光吸收层表面制作电极以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的平面型光电探测器，通过控制MoS2的厚度来调谐其能量带隙值从而降低背景噪声；可以实现增强超快的可见‑近红外宽谱响应；可以降低暗电流和背景载流子浓度。
-
公开(公告)号：CN106486600B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201611125222.1
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面生长隔离槽；采用第二掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；采用第三掩膜版在所述隔离槽一侧的所述衬底材料表面生长电子传输层；采用第四掩膜版在所述隔离槽另一侧的所述衬底材料表面生长空穴传输层；采用第五掩膜版在整个衬底表面生长CH3NH3PbI3材料作为光吸收层；采用第六掩膜版在整个衬底表面生长形成栅电极材料，以完成所述基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，制备的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
-
公开(公告)号：CN109037451A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810592174.X
申请日：2018-06-11
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
-
公开(公告)号：CN106654011B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611123708.1
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH3NH3PbI3材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
42 条记录 (耗时 0.044 秒)
