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公开(公告)号：CN116675537A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310545420.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64 , F02C7/266
Abstract: 本发明涉及导体材料制备领域，涉及一种等离子点火用SiC半导体材料、制备方法及电嘴，该材料按质量比30～70％的SiC粉末、10～20％的ZrO2粉末、10～30％的莫来石粉末和10～30％的复合烧结助剂粉末；通过在复合烧结助剂粉末中添加Lu2O3、Yb2O3、Y2O3和La2O3，使材料可耐受1500～1600℃的高温，且具有良好的抗离子侵蚀的能力；结合ZrO2的添加提高材料的力学性能和可靠性；添加Lu2O3可改善材料的电性能；高体积分数的SiC，使得利用该材料制备的半导体电嘴具有低的发火电压，高的火花能量；材料开气孔率极低，提升耐火花腐蚀性；材料内部具有一定的闭气孔，可提高抗热冲击性能。解决SiC半导体材料制备的电嘴存在耐高温性能差、耐电火花腐蚀性能不足、以及耐热冲击性能不足的问题。
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公开(公告)号：CN116394361A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310547523.7
申请日：2023-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及多孔陶瓷材料制备技术领域，尤其是一种SiC纳米纤维增强SiC木材陶瓷及其制备方法。通过将天然木材原料进行高温热解后，浸入金属盐溶液中进行真空浸渍，干燥后与一氧化硅蒸汽进行气固反应及气液固反应得到了一种SiC纳米纤维增强SiC木材陶瓷。制备工艺简单且可控，为实现规模化工业生产提供了保障。且制备的SiC纳米纤维增强SiC木材陶瓷完全保留了木材的原始结构且纯度高，在分离提纯、催化剂载体、人造关节、复合材料增强相、光电器件及传感器研制等诸多功能性领域具有广阔的应用前景。解决了现有技术中存在的SiC木材陶瓷的制备工艺复杂，硅杂质含量高且无法完全保留木材结构，从而使其性能大幅度降低的问题。
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公开(公告)号：CN113929470B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111173251.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/591 , C04B35/596 , C04B38/00 , C01B21/068 , B01J13/00
Abstract: 本发明公开了纳米阵列定向排布的各向异性多孔氮化硅陶瓷及气凝胶的制备方法，属于气凝胶制备技术领域，对干燥的木材进行碳化处理得到木材多孔炭材料，或将天然木材经化学处理和定向冷冻干燥，之后进行浸渍处理、高温处理和碳热还原处理，分别获得多孔纳米氮化硅陶瓷、气凝胶材料。获得的多孔陶瓷材料的气孔率可通过调控成形圧力和烧结温度进行一定范围的调控，制备得到的多孔氮化硅陶瓷具有高的气孔率，同时兼具高的强韧性。氮化硅气凝胶的孔隙率可达到95％以上。氮化硅气凝胶纯度高，且形状、尺寸、孔隙率、密度等参数可控，适合用作催化剂载体、颗粒吸附、液体分离、保温隔热等材料。
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公开(公告)号：CN113929500B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111173283.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了3D打印制备真空灭弧室用氧化铝陶瓷表面复合涂层的方法，属于氧化铝陶瓷表面复合涂层制备技术领域。该方法为选取了极低二次电子发射系数，并且能减小A12O3陶瓷二次电子发射系数和表面电阻率的Cr2O3作为涂层的原料，将A12O3陶瓷与涂层两者良好的性能结合起来，突出两种材料的整体优势。同时采用3D打印技术，提高了效率，也能在复杂构件表面均匀涂覆涂层，既保证了绝缘介质基体良好的体绝缘性能，又有效提高了绝缘介质的耐表面闪络性能。
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公开(公告)号：CN113929501A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111173285.5
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷表面耐闪络梯度复合涂层及其制备方法，属于氧化铝陶瓷表面复合涂层领域。选用具有低二次电子发射系数、低相对介电常数、低表面电阻率的铬氧化物体系作为耐闪络涂层，由于基体为氧化铝陶瓷，最外层涂层为氧化铬涂层，因此使Cr2O3含量逐层增加，而Al2O3含量逐层减小，使其组分与电学性能呈连续变化，通过改变涂层中Cr2O3的含量来实现对涂层相对介电常数/表面电阻率的控制。各涂层主要成分含量呈梯度变化，涂层与基体之间具有良好结合力的同时，减少了热应力引起的形变，该方法制得的涂层在保证绝缘介质基体原有良好的结构强度与耐压性能的基础上，有效地提高了绝缘介质的耐表面闪络性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113929500A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111173283.6
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了3D打印制备真空灭弧室用氧化铝陶瓷表面复合涂层的方法，属于氧化铝陶瓷表面复合涂层制备技术领域。该方法为选取了极低二次电子发射系数，并且能减小A12O3陶瓷二次电子发射系数和表面电阻率的Cr2O3作为涂层的原料，将A12O3陶瓷与涂层两者良好的性能结合起来，突出两种材料的整体优势。同时采用3D打印技术，提高了效率，也能在复杂构件表面均匀涂覆涂层，既保证了绝缘介质基体良好的体绝缘性能，又有效提高了绝缘介质的耐表面闪络性能。
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公开(公告)号：CN119903702A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411994103.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京卓越电力建设有限公司 , 西安交通大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高温下电缆附件和本体间界面压力的计算方法与相关装置，属于电力电缆技术领域；所述方法获取电缆附件装配前后的环境温度、内径和外径，以及电缆附件绝缘材料的相关参数；通过所述电缆附件装配前后的环境温度、内径和外径，以及电缆附件绝缘材料的相关参数，计算热膨胀效应引起的界面压力变化；获取Gough‑Joule效应系数δ，并结合电缆附件装配前后的环境温度、内径和电缆附件绝缘材料的相关参数，计算Gough‑Joule效应引起的界面压力变化；获取电缆附件装配后室温下的界面压力数值，根据热膨胀效应引起的界面压力变化和Gough‑Joule效应引起的界面压力变化，最终计算得到高温下电缆附件和本体间界面压力。
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公开(公告)号：CN118459228A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410470190.7
申请日：2024-04-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B38/06 , C04B35/81
Abstract: 本发明涉及多孔陶瓷材料制备技术领域，尤其是多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，对天然木材的预处理、热压和高温碳化获得具有层状结构的炭模板，随后真空浸渍使炭模板内壁上附着稀土硝酸盐，后经过高温热解的方法将硝酸盐分解成稀土氧化物，最后在高温下进行碳热还原氮化反应，获得多孔氮化硅陶瓷。烧结后层状三维互联多孔氮化硅陶瓷为纯β相，具有0.5～1％的线收缩，且根据需求，通过对天然木材前期的化学腐蚀和热压精准的控制木材体积减小的量可将其孔隙率范围精准控制在40％～70％之间，层间距可精准控制在5～25μm，β‑Si3N4晶须长径比可达10～30，同时兼具高孔隙率及高强韧性。解决现有技术中存在的依赖生物模板，导致的气孔率无法调控的问题。
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公开(公告)号：CN113929501B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111173285.5
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷表面耐闪络梯度复合涂层及其制备方法，属于氧化铝陶瓷表面复合涂层领域。选用具有低二次电子发射系数、低相对介电常数、低表面电阻率的铬氧化物体系作为耐闪络涂层，由于基体为氧化铝陶瓷，最外层涂层为氧化铬涂层，因此使Cr2O3含量逐层增加，而Al2O3含量逐层减小，使其组分与电学性能呈连续变化，通过改变涂层中Cr2O3的含量来实现对涂层相对介电常数/表面电阻率的控制。各涂层主要成分含量呈梯度变化，涂层与基体之间具有良好结合力的同时，减少了热应力引起的形变，该方法制得的涂层在保证绝缘介质基体原有良好的结构强度与耐压性能的基础上，有效地提高了绝缘介质的耐表面闪络性能。
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公开(公告)号：CN109467452B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811459223.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/52 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种气固反应结合液相烧结法制备多孔纳米氮化硅陶瓷的方法，包括步骤：1)按照质量百分比将20～85wt％的碳纳米管，0～70wt％的α‑Si3N4，以及10～20wt％的稀土氧化物混合粉末模压成型后形成生坯，将SiO粉末置于坩埚底部，将生坯置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，通入氮气，在1500℃～1700℃保温1～6小时，进行碳热还原氮化反应生成氮化硅坯体，其中SiO和碳纳米管的质量比为10:1；2)继续升温至1750℃～1850℃进行液相烧结0.5～2小时，此过程中发生相转变，即获得多孔纳米氮化硅陶瓷。本发明获得的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。
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