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    一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
    11.
    发明公开
    一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101323524A

    公开(公告)日：2008-12-17

    申请号：CN200810017970.7

    申请日：2008-04-15

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 高积强 ,  杨建锋 ,  刘光亮 ,  程基宽 ,  戴培赟 ,  李春芳

    IPC: C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配；然后采用粉末堆积或陶瓷常规成形工艺将混合均匀的配料组成制成生坯，置于石墨坩埚或匣钵中；将坩埚或匣钵放入温度梯度为15～30℃/cm温度场的真空气氛烧结炉中，在压力为0.2～1×105Pa的氩气条件下升温至1900－2500℃，保温0.5－3小时；最后在气体保护下自然降温冷却，取出烧结体，即得到具有定向排列开孔结构的重结晶碳化硅多孔陶瓷。

    一种反应烧结碳化硅微通道反应器及其制备方法
    12.
    发明公开
    一种反应烧结碳化硅微通道反应器及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118420347A

    公开(公告)日：2024-08-02

    申请号：CN202410541104.7

    申请日：2024-04-30

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 杨建锋 ,  潘鑫龙 ,  张南龙 ,  张明君 ,  王波 ,  李春芳

    IPC: C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  B01J19/00

    Abstract: 本发明涉及流体混合与微通道反应设备技术领域，具体涉及一种反应烧结碳化硅微通道反应器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：将碳化硅粉、活性碳源、酚醛树脂和添加剂混合制备陶瓷浆料；所述陶瓷浆料的体积固含量在40～56％；将至少一个通道模具置于陶瓷浆料中，在密封条件下进行热固化处理，以控制体积收缩率≤4.5％，得到固化素坯；然后在保护气氛下进行碳化处理，得到碳化后的素坯；之后进行烧结处理，制备得到反应烧结碳化硅微通道反应器。通过密封固化和提高浆料固含量降低浆料在固化阶段的收缩率，降低了坯体在酚醛树脂碳化过程的收缩开裂。制备工艺简单且可控，为实现规模化工业生产提供了保障。

    一种可保护破膜针的产科破膜装置
    13.
    发明公开
    一种可保护破膜针的产科破膜装置 有权

    公开(公告)号：CN111568516A

    公开(公告)日：2020-08-25

    申请号：CN202010449835.0

    申请日：2020-05-25

    Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院

    Inventor： 王慰敏 ,  潘怡霞 ,  卫禅 ,  王雯娟 ,  李春芳

    IPC: A61B17/42 ,  A61B90/00 ,  A61B90/30 ,  A61M1/00

    Abstract: 本发明属于医疗器械领域，尤其是一种可保护破膜针的产科破膜装置，针对目前市场上的产科破膜装置使用不方便，破膜效果不好，且破膜装置使用效果不好的问题，现提出如下方案：一种可保护破膜针的产科破膜装置，包括底座与固定筒，所述底座的下端外表面固定安装有脚垫，所述底座的上端外表面固定安装有支撑套管，所述支撑套管的上端套接有立柱，所述立柱的上端活动连接有连接臂，所述连接臂的上端固定安装有安装垫板，所述固定筒固定安装在安装垫板的上端。本发明中，通过立柱和连接臂方便破膜装置角度的调节固定，通过集液瓶能够方便破膜后羊水的导流，利用灯座能够便于破膜装置的破膜，使破膜装置的使用效果更好。

    一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法
    16.
    发明公开
    一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN107324807A

    公开(公告)日：2017-11-07

    申请号：CN201710470661.4

    申请日：2017-06-20

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 王波 ,  赵杉 ,  丁克 ,  张南龙 ,  侯宝强 ,  李春芳 ,  杨建锋

    IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C03C3/095 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

    一种气孔率可控多孔Si3N4的制备方法
    17.
    发明授权
    一种气孔率可控多孔Si3N4的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104086183B

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：CN201410312861.3

    申请日：2014-07-02

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 杨建锋 ,  徐照芸 ,  景文甲 ,  刘波波 ,  王波 ,  李春芳

    IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

    Abstract: 一种密度可控多孔Si3N4陶瓷制备方法，首先制备等轴状α相Si3N4粉乙醇浆料和纤维状α相Si3N4粉的乙醇浆料，然后按质量百分比70-99wt％Si3N4粉和1-30wt％烧结助剂Y2O3经磁力搅拌2-24h充分混合均匀，将混合粉料干燥、过筛、成型后，放入内壁涂有BN的石墨坩埚内，装入多功能烧结炉，在烧结温度1650-1850℃，保温时间1-4h，氮气压力为0.1-2MPa的条件下进行液相烧结，得到不同密度及气孔率的多孔β-Si3N4陶瓷；本方法工艺简单，可应用于干压成型、冷等静压成型、注浆成型、注射成型、挤压成型等多种成型方法。

    混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法
    18.
    发明授权
    混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法 有权

    公开(公告)号：CN103553339B

    公开(公告)日：2015-08-05

    申请号：CN201310468746.0

    申请日：2013-09-30

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 杨建锋 ,  赵婷 ,  秦毅 ,  张佩 ,  王波 ,  李春芳

    IPC: C03C10/04

    Abstract: 一种混合反应烧结法制备的二硅酸锂微晶玻璃材料及其方法，该材料原料由偏硅酸锂晶体粉末M、石英砂玻璃粉末S和二硅酸锂基础玻璃粉末D组成，其中M：S：D的摩尔比为1：（1～2）：（0～8）；其制备方法包括偏硅酸锂玻璃和二硅酸锂基础玻璃的熔制，水淬，球磨制取玻璃粉，并且对偏硅酸锂玻璃粉晶化处理成晶体，加入石英砂玻璃粉以及二硅酸锂基础玻璃粉，三种粉末混合均匀后在真空热压炉内烧结，制成二硅酸锂微晶玻璃；利用本发明生产的二硅酸锂微晶玻璃，抗弯强度255～420MPa，断裂韧性2.6MPa·m1/2～3.5MPa·m1/2；与现有技术相比，降低了生产成本即可在烧结前将所需色料加入到混合粉末中解决熔融法配色困难等问题，制备出长达单一玻璃粉烧结5倍尺寸的长棒状晶粒，为增韧二硅酸锂微晶玻璃开辟了一条新的途径。

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