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公开(公告)号：CN110212764B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910481842.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种适用于数据中心电压调节模块的非隔离直流斩波电路，电源的负极接地，电源的正极经第一开关管与第一电容的一端及第二开关管的一端相连接，第二开关管的另一端与第三开关管的一端及第二电容的一端相连接，第三开关管的另一端与第三电容的一端及第四开关管的一端相连接，第四开关管的另一端与第五开关管的一端、第一电感的一端及第二电容的另一端相连接，第五开关管的另一端接地，第一电感的另一端与负载的一端及第二电感的一端相连接，第一电容的另一端与第三电容的另一端、第二电感的另一端及第六开关管的一端相连接，第六开关管的另一端接地，负载的另一端接地，该电路的体积小，且电容及开关管的数量较少。
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公开(公告)号：CN110224591B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910482555.7
申请日：2019-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非隔离型大降压比的DC‑DC转换器，电源的正极与第一开关管的一端相连接，第一开关管的另一端与第二电容的一端及第二开关管的一端相连接，第二开关管的另一端与第一电容的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连通，第二电感的另一端与第四开关管的一端及负载的一端相连接，第五开关管的另一端与第一电感的一端及负载的另一端相连接，第一电感的另一端与第四开关管的另一端、第二电容的另一端及第三开关管的一端相连接，第三开关管的另一端及第一电容的另一端与电源的负极相连接，该转换器中器件的数目较少，能够适用于大变比降压应用领域。
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公开(公告)号：CN118335730A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410531766.6
申请日：2024-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种空间对称布局功率器件封装结构，包括异形多层氮化硅陶瓷基板及四个金属盖板，两个金属盖板设置于异形多层氮化硅陶瓷基板的底部，另外，两个金属盖板设置于异形多层氮化硅陶瓷基板的上表面，其中，所述异形多层氮化硅陶瓷基板包括三层金属化层，相邻两层金属化层之间设置有陶瓷层，芯片空间对称的排布放置于异形多层氮化硅陶瓷基板的上下两侧，该结构完全消除了寄生电感差异及热阻差异较小，功率模块的寄生电感及热阻较低。
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公开(公告)号：CN115000041A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210542514.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/49 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/04
Abstract: 本发明公开了一种具备直接芯片电压测量的高温高频功率器件的封装结构，第一半导体芯片、第三金属信号端子、第四金属信号端子及第三金属功率端子位于金属绝缘陶瓷导电极板的一侧；第二半导体芯片、第二金属功率端子、第一金属信号端子及第二金属信号端子位于金属绝缘陶瓷导电极板的另一侧。该封装方法的结构简单，寄生参数、热阻与热机械应力极低，并且具备直接测量封装内芯片电压的能力，因此采用该封装结构的功率器件/模块能够在高温、高频的环境下安全高效运行。
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公开(公告)号：CN113391180B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110497149.5
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113391180A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110497149.5
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。
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公开(公告)号：CN112630544A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011534487.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R27/26 , G01R31/26 , G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，包括以下步骤：1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征；3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征进行SiC MOSFET漏源极间电容Cds的建模，该方法能够实现高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容的精确测量及建模，且适应范围较广。
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公开(公告)号：CN110224591A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910482555.7
申请日：2019-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非隔离型大降压比的DC-DC转换器，电源的正极与第一开关管的一端相连接，第一开关管的另一端与第二电容的一端及第二开关管的一端相连接，第二开关管的另一端与第一电容的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连通，第二电感的另一端与第四开关管的一端及负载的一端相连接，第五开关管的另一端与第一电感的一端及负载的另一端相连接，第一电感的另一端与第四开关管的另一端、第二电容的另一端及第三开关管的一端相连接，第三开关管的另一端及第一电容的另一端与电源的负极相连接，该转换器中器件的数目较少，能够适用于大变比降压应用领域。
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公开(公告)号：CN114400223B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210039293.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。
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公开(公告)号：CN112234810B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010924021.8
申请日：2020-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M1/32 , H03K17/081
Abstract: 本发明公开了一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路，直流母线与第二SiC MOSFET管的漏极、第二钳位电容器的一端及第一回馈模块的一端相连接，第二SiC MOSFET管的源极与第二收集二极管的负极、负载端、第一收集二极管的正极及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第二收集二极管的正极及第二钳位电容器的另一端与第二回馈模块的一端相连接，第一收集二极管的负极与第一钳位电容器的一端及第一回馈模块的另一端相连接，低压源与第一SiC MOSFET管的源极、第二钳位电容器的另一端及第二回馈模块的另一端相连接，该电路能够有效抑制过电压，并且电路中的钳位电容可将能量通过电感支路回馈到直流侧，且只在过电压产生时参与电路过程。
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