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公开(公告)号：CN117921214A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410342873.4
申请日：2024-03-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/55 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶圆加工方法，包括：采用微米水导激光束在英寸级的金刚石晶圆内部切割出多个镂空槽；所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向不贯穿，在金刚石晶圆垂直方向贯穿，所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向为一条连续长槽排列而成或数条不连续短槽排列而成；在金刚石晶圆上通过磁控溅射或蒸发的方式双面制备电极，所述电极覆盖金刚石晶圆上表面、底面以及镂空槽内壁；采用微米水导激光束沿金刚石晶圆水平面的行方向进行切割分离，按照实际需求尺寸切割出器件。该方法可以有效减少材料损耗，实现金刚石晶圆的精密加工，提高制备效率；不用进行多次套刻，减少光刻过程出现的失误，提高成品率。
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公开(公告)号：CN114016128A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111228647.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，在第一异质外延衬底上制备晶向为(001)的第一Ir膜层；在第一Ir膜层的第一表面制备出(001)方向的第一外延金刚石核；使第一外延金刚石核外延生长，在第一Ir膜层的第一表面上形成(001)方向的第一单晶金刚石，得到第二外延衬底；清洗第二外延衬底，得到Ir/Dianomd衬底；在第一Ir膜层的第二表面上制备第二外延金刚石核；使第二外延金刚石核在MP‑CVD中生长，得到第二单晶金刚石；本发明中衬底以及生长层均为单晶金刚石，具有相同的热膨胀系数，利用异质外延单晶金刚石作为衬底，可以提高二次生长的单晶金刚石的晶体质量。
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公开(公告)号：CN112831834A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011636822.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石(111)薄膜的制备方法，步骤一、在异质外延衬底材料上制备Ru(0001)薄膜；步骤二、在Ru(0001)薄膜上制备金刚石(111)籽晶；步骤三、将金刚石(111)籽晶在MP‑CVD中外延生长，得到单晶金刚石(111)薄膜。Ru具有良好的金属延展性，有效防止异质外延中缓冲层破裂问题，适合异质外延单晶金刚石生长；且降低了成本。
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公开(公告)号：CN112725902A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011536707.6
申请日：2020-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶金刚石衬底结构及其拼接加工方法选取单晶金刚石衬底块；以单晶金刚石衬底块的第一生长面为起始位置，将单晶金刚石衬底块切断；其中，单晶金刚石衬底块的断面为平面，且断面由第一生长面延伸至与其相对的第二生长面；以与第一生长面平行的轴线为轴，翻转切割后相邻的单晶金刚石衬底的切块中的任一切块，使一个切块的第一生长面与相邻切块的第二生长面位于同一连续平面；拼接翻转后相邻的切块，将连续平面作为生长表面；本发明将同一单晶金刚石衬底块进行斜向切割，并将切割后的切块进行翻转，形成新的单晶金刚石衬底结构，可以有效增加单晶金刚石衬底块的生长表面，并且，通过结构可以规避金刚石的生长缺陷。
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公开(公告)号：CN109722713B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910098478.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型金刚石衬底结构，包括单晶金刚石衬底块，单晶金刚石衬底块的生长面上开设有燕尾槽，燕尾槽为长条形槽，其由生长面的一端延伸至其相对的另一端，并贯穿所述生长面；燕尾槽的纵截面为梯形，且梯形的上底位于生长面上；具有这种结构的金刚石衬底，在采用横向外延生长金刚石的过程中，可以有效降低外延金刚石的位错密度，减少外延生长金刚石的内部应力，为后续的金刚石薄膜生长和应用有极大的推进作用。
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