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公开(公告)号：CN112831834A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011636822.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石(111)薄膜的制备方法，步骤一、在异质外延衬底材料上制备Ru(0001)薄膜；步骤二、在Ru(0001)薄膜上制备金刚石(111)籽晶；步骤三、将金刚石(111)籽晶在MP‑CVD中外延生长，得到单晶金刚石(111)薄膜。Ru具有良好的金属延展性，有效防止异质外延中缓冲层破裂问题，适合异质外延单晶金刚石生长；且降低了成本。
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公开(公告)号：CN112813497B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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公开(公告)号：CN112813497A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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