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公开(公告)号：CN112885963A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110044218.7
申请日：2021-01-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种忆阻器交叉阵列，包括：忆阻器基本单元，控制导线；所述忆阻器基本单元包括：忆阻器、MOS管；所述控制导线包括：横向的字线、纵向的位线、MOS管栅极控制线；所述字线作为所述忆阻器交叉阵列的激励电压输入端；其中，奇数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的一侧输入，偶数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的另一侧输入，在每一列忆阻器的电导相同的条件下，所述忆阻器交叉阵列每一列位线最终输出的电流相等或相近。本发明实施例提供的忆阻器交叉阵列，使每一列受到的线寄生电阻影响相似，避免了线寄生电阻影响的累加，各列位线最终输出的电流更加接近，减少了线寄生电阻对阵列的计算准确度的影响。
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公开(公告)号：CN111797977A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010631640.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 西安交通大学 , 南京拟态智能技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于二值化神经网络的加速器结构及循环展开方法，针对权值为1bit，特征值为n bit的硬件加速器结构，本发明包括加速器的硬件结构设计和针对二值化神经网络优化的循环展开结构和权值、特征值在SRAM中的存放顺序。硬件结构包括权值、特征值存储SRAM，专用卷积计算模块和加法树单元。专用卷积模块设计了新的卷积计算方式，加法树保证了数据的流水线运行。本发明使用的循环展开方式与累加器配合可以让加速器拥有非常好的可扩展性，可以根据网络复杂程度和硬件资源自由决定块K的大小，而不用改变电路的控制逻辑。配合此循环展开方式本发明还提出了一种权值和特征值的存放顺序，来简化存取逻辑。
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公开(公告)号：CN111786659A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010576666.7
申请日：2020-06-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种宽范围高精度电荷脉冲生成电路及工作方法，控制芯片控制数模变换芯片的电压输出；数模变换芯片通过运算放大器与电阻组成的电压跟随器提高负载能力；运算放大器的输出与三个双掷开关常开管脚相连；控制芯片通过控制三选一开关的导通来控制三个双掷开关的切换，且三个双掷开关在同一时间只有一个会发生切换；双掷开关的常闭管脚接下拉电阻后接地；双掷开关在切换后与电容器相连并将运算放大器的输出电压加在电容器上给电容器充电；电容器充电过程中产生电荷脉冲输出；三个不同容值的电容器可以产生不同范围的电荷脉冲且在嵌套开关的控制下保证只有一个电容器进行充电，实现了电荷量范围达四个数量级的宽范围高精度电荷脉冲输出。
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公开(公告)号：CN111008924A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911216264.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 西安交通大学深圳研究院
Abstract: 本申请提供了一种图像处理方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：将待处理图像输入预先训练得到的卷积网络模型；通过卷积网络模型对待处理图像进行处理；输出待处理图像的处理结果；其中，卷积网络模型包括：具有线性相位约束的卷积网络模块；卷积网络模块包括深度卷积网络层和线性相位逐点卷积网络层，深度卷积网络层采用尺寸为3*3的卷积核，线性相位逐点卷积网络层采用尺寸为1*1的线性相位逐点卷积核，线性相位逐点卷积核的权值在深度方向上对称或者反对称。本申请基于具有通道数缩减功能的卷积网络模型对图像进行处理，能有效降低图像处理过程中的参数量，降低图像处理的复杂度和图像处理设备的计算量。
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公开(公告)号：CN108931363A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810732156.7
申请日：2018-07-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种平面及三维叶栅远程实验装置，包括远程控制端，用于制压力探针在空间XYZ三个方向移动的三个直线电机，控制压力探针旋转的一个步进电机，控制叶栅旋转的一个步进电机，设置在第一步进电机输出轴上的压力探针及第一步进电机壳体上用于采集实时图像的摄像探头，以及用于将压力探针的位置信息、旋转角度，叶栅的旋转角度，及压力探针测量的压力信号传输给远程控制端的若干传感器；其中，摄像探头用于将采集的实时图像信号反馈给远程控制端，远程控制端分别用于控制三个直线电机和两个步进电机动作。本发明运用远程控制叶栅及压力探针的方法，实现对某测量点压力的精准测量，提高了测量精度与实验效率，为进一步的研究提供便利。
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公开(公告)号：CN103021445B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210500359.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的敏感放大器，包括预充电电路、输入控制结构和锁存电路；预充电电路的输入端口分别连接预充电信号线和两条互补数据输入线，预充电电路分别将两条互补数据输入线与电源相连，并将两条互补数据输入线相连接，使互补数据输入线预充电平衡。与传统敏感放大器相比，本发明提供的一种抗单粒子翻转的敏感放大器，在实现敏感放大器功能的同时，具有抗单粒子翻转加固能力；根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值大于500MeV·cm2·mg-1。
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公开(公告)号：CN104393864A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410713200.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的SR锁存器，包括第一信号输出端口、第二信号输出端口、电源、第一存储节点、第二存储节点、第一信号输入端口、第二信号输入端口、第三信号输入端口、第四信号输入端口、第一控制节点、第二控制节点、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管及第十NMOS管。本发明写入速度快，延迟短，符合抗辐射高速度集成电路的要求。
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公开(公告)号：CN101776730A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010103360.6
申请日：2010-01-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明涉及集成电路测试领域，公开了一种集成电路的测试图形生成器及其测试方法。该测试图形生成器包括可重构的单个位变化的循环码线性反馈移位寄存器，基于本原多项式的线性反馈移位寄存器，二维异或门阵列；与传统的测试图形生成器相比，硬件开销较小，重复的测试图形数量少，测试时间短，生成的测试图形均匀分布，能够获得较高的故障覆盖率；并且所生成的单跳变测试序列降低了被测电路输入端的转换次数，从而大大降低被测集成电路的测试功耗。
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