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公开(公告)号：CN111139522A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010079827.1
申请日：2020-02-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种使用Ni-W异质籽晶制备DD3单晶高温合金试棒的方法，在保证获得所需取向DD3单晶高温合金的前提下，通过重复使用籽晶，避免了每次籽晶法生产单晶高温合金时都需要制备全新籽晶的麻烦，显著减低生产成本。本发明通过使用无糊状区的Ni-W异质籽晶和内置刚玉管，能够有效避免糊状区杂晶的形成。本发明通过使用预埋刚玉管于籽晶段的模壳，有效控制籽晶与籽晶段内壁间隙，减小因浇注造成合金进入模壳与未熔籽晶的间隙导致激冷形成杂晶的几率，实现了重复使用籽晶生产DD3单晶高温合金。
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公开(公告)号：CN108648918B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810440305.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种TiO2(B)NWs/TiO2NP染料敏化太阳能电池光阳极及制备方法，利用搅拌水热法和热处理工艺制备长约40μm且可弯曲的TiO2(B)NWs，再采用机械搅拌法制备TiO2(B)NWs/TiO2NP复合结构。由该复合结构组成的染料敏化太阳能电池具有TiO2(B)NWs优异的电子传输性能以及TiO2NP较大的比表面积，在提高了光生电子传输速率的同时可满足充分的染料吸附量。此外，TiO2(B)NWs的光散射效应可有效地增加光吸收，最终实现提高染料敏化太阳能电池光电转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN105420583B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201510912082.1
申请日：2015-12-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种含高熔点组元的镍基四元中间合金，以Ni为基体，向其中加入高熔点金属，所述高熔点金属包括Ru、Mo、Ta、Re，与加入所述高熔点金属中任意三个金属形成四元中间合金，所述加入的任意三个高熔点金属中的一个高熔点金属为Ta；本发明还公开了一种含高熔点组元的镍基四元中间合金的制备方法，通过本发明制备的中间合金的熔点低于1600℃，远低于镍基高温合金中所含难熔合金元素的熔点，因此在熔炼母合金的过程中，所需的加热温度及加热时间都会明显降低，同时也减少了低熔点金属的烧损。
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公开(公告)号：CN105839186A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610389765.8
申请日：2016-06-03
Applicant: 西北工业大学
CPC classification number: C30B29/52 , B22D27/045 , C30B11/14
Abstract: 一种重复使用籽晶制备单晶高温合金的方法，在保证获得所需取向单晶高温合金的前提下，通过重复使用籽晶，避免了每次籽晶法生产单晶高温合金时都需要制备全新籽晶的麻烦，显著降低生产成本。本发明通过对籽晶回熔区杂晶形成机制的研究，发现模壳引晶段内壁表面粗糙度和合金浇注时对籽晶的冲刷是被长期忽略的影响杂晶形成的重要因素。降低模壳引晶段内壁的表面粗糙度，减小合金浇注时对籽晶的冲刷速度，能够有效避免回熔区杂晶的形成。
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公开(公告)号：CN105717118A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610143674.6
申请日：2016-03-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种确定镍基单晶高温合金残余偏析的方法，通过制作的金相试样测量镍基单晶高温合金的一次枝晶间距，并用点阵法在制作的金相试样上测量镍基单晶高温合金各点上各元素质量分数分布。根据得到的每个测量点的元素质量分数确定元素的偏析方向。通过计算机模拟固溶处理，以得到固溶处理后的各元素的分布，从而分别得到Al、Ta、W和Re元素的残余偏析比。本发明将实验与模拟结合，能够准确快捷的预测了高温合金经过固溶处理后的残余偏析，降低了固溶处理研发的成本和周期。所采用的通过点阵法各点上各元素质量分数分布具有样本多，并防止了一般表示方法中误差过大造成的结果偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104975248A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510374344.3
申请日：2015-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C22F1/10
Abstract: 一种第三代镍基单晶高温合金的固溶处理方法，对现有技术的第三代镍基单晶高温合金固溶处理方法进行改进，避免了合金在固溶处理过程中发生初熔，从而提高产品的力学性能和成品率。本发明降低固溶处理过程中上坡扩散发生后的固溶温度，使固溶处理温度低于由于上坡扩散而降低的初熔温度，避免初熔的产生。采用本发明的方法能避免由上坡扩散引起的初熔发生，从而消除由初熔产生的孔洞及残余共晶，进而提高合金的力学性能，另外由于初熔的避免，产品的成品率将显著提高。
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公开(公告)号：CN102050617B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010535585.9
申请日：2010-11-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B11/08 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种获得氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷组织形貌的方法，通过激光悬浮区熔定向凝固装置，对氧化铝基氧化物的多个预制体进行定向凝固。取定向凝固后各个预制体的纵截面及横截面，经常规金相处理后表面喷金，得到氧化铝基二元共晶熔体生长陶瓷在不同生长速率下的组织形貌。定向凝固中，激光功率为200W，试样旋转系统的转速为50Rpm；各预制体的抽拉速率为1～300μm/s。本发明实现了预制体固液界面前沿温度场均匀平直的目的，克服了传统方法中的造价高昂，结构复杂的缺陷，能够对熔点高、不导电材料进行定向凝固组织演化研究。
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公开(公告)号：CN102557596A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210002243.X
申请日：2012-01-05
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种激光送粉法制备氧化铝基共晶陶瓷的方法，通过加热共晶陶瓷减少区熔过程中的热应力，从而降低粉末熔化过程中的裂纹产生，将粉末输送至激光熔池的前方，送粉粉末落到基底时完成激光区熔定向凝固，在得到的共晶陶瓷面上继续在送粉器输送粉末，通过激光区熔将第二层的粉末熔化，并与底部激光区熔共晶陶瓷熔化结合为一个整体。如此反复，即可实现利用激光快速成型方法制备大体积共晶陶瓷材料。在加热和成形过程中，通过控制送粉量激光功率、扫描速度和光斑大小，同时充入高纯惰性气体，使得炉体中的空气完全逸出，消除了成形材料内部的气孔，可以获得稳定的晶体生长。利用重复堆积、多次熔覆的方法，使粉末重复熔于基体，从而实现大体积共晶陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN102557595A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210002088.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种激光立体成形氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法，通过激光立体成形氧化物共晶陶瓷材料，获得大体积共晶陶瓷体。本发明采用逐层铺陶瓷粉的方法，针对Al2O3基共晶陶瓷，保温温度一般控制在800～1300℃，并通过调整保温温度，实现不同的冷却速率和温度梯度。本发明利用重复堆积、多次熔覆的方法，使粉末重复熔于基体，从而实现共晶陶瓷的制备，能够快速熔化高熔点材料，实现＞3000K/cm的温度梯度，使材料激光成形过程中降低热应力并完全消除裂纹。在加热和成形过程中，同时充入高纯惰性气体，使得炉体中的空气完全逸出，消除了成形材料内部的气孔，可以获得稳定的晶体生长。本发明有效降低了成形材料与周围环境的温差和材料内部的热应力。
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公开(公告)号：CN102179506A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110087122.5
申请日：2011-04-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22D27/04
Abstract: 一种定向凝固用复合隔热挡板，包括两层钼片、一层石墨毡和一层针刺毡。其中，第一层钼片在最底层；针刺毡位于第一层钼片的上表面；石墨毡位于针刺毡的上表面；另一层钼片放置在石墨毡的上表面。将上述两层钼片、一层石墨毡和针刺毡用钼螺栓固紧，并使两层钼片、一层石墨毡和针刺毡同心。所述的钼片的厚度为1～3mm，所述的石墨毡的厚度为3～5mm，所述的针刺毡的厚度为2～3mm。石墨毡的内缘沿正交方向剪开，并且剪开的深度为石墨毡与钼片叠放之后石墨毡的内缘所超出钼片内缘部分的深度。与现有技术中采用的环形复合隔热挡板相比，本发明能够使温度梯度提高10％。
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