-
公开(公告)号：CN108897088B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810692085.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN106094093B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610684633.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种亚波长超宽带透射式二维金属波片，由若干周期性的波片单元构成，波片单元包括SiO2基片和位于所述基片上的正交十字银纳米棒结构，基片为正方形基片，其边长P为800~1000nm，正交十字银纳米棒结构的高度H为100~150nm，所述正交十字银纳米棒结构的第一宽度W为200~300nm，正交十字银纳米棒结构的第二长度Lx为550~650nm，正交十字银纳米棒结构的第二宽度Ly为150~170nm。本发明大大拓宽了工作带宽，而且对于参数变化的容忍度较高，由于现在微纳结构制作精度的限制，该结构合理、易于制作，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN106154388A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610746267.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN106094093A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610684633.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3083
Abstract: 本发明公开了一种亚波长超宽带透射式二维金属波片，由若干周期性的波片单元构成，波片单元包括SiO2基片和位于所述基片上的正交十字银纳米棒结构，基片为正方形基片，其边长P为800~1000nm，正交十字银纳米棒结构的高度H为100~150nm，所述正交十字银纳米棒结构的第一宽度W为200~300nm，正交十字银纳米棒结构的第二长度Lx为550~650nm，正交十字银纳米棒结构的第二宽度Ly为150~170nm。本发明大大拓宽了工作带宽，而且对于参数变化的容忍度较高，由于现在微纳结构制作精度的限制，该结构合理、易于制作，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN106019451A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610560622.9
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G02B5/3058 , G02B27/28
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206161889U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201620966488.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本实用新型具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN206057624U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201620899636.9
申请日：2016-08-18
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型公开了一种亚波长超宽带透射式二维金属波片，由若干周期性的波片单元构成，波片单元包括SiO2基片和位于所述基片上的正交十字银纳米棒结构，基片为正方形基片，其边长P为800~1000nm，正交十字银纳米棒结构的高度H为100~150nm，所述正交十字银纳米棒结构的第一宽度W为200~300nm，正交十字银纳米棒结构的第二长度Lx为550~650nm，正交十字银纳米棒结构的第二宽度Ly为150~170nm。本实用新型大大拓宽了工作带宽，而且对于参数变化的容忍度较高，由于现在微纳结构制作精度的限制，该结构合理、易于制作，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN206057623U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201620748008.0
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本实用新型具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN205941963U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620822952.6
申请日：2016-08-01
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本实用新型公开了一种大视场衍射光子筛，直径为D，包括透明平面基底和镀在该透明平面基底上的不透光金属薄膜，所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔，所述通光小孔的位置分布满足方程其中，f为光子筛的焦距，n为通光环带的环带序列，λ为光子筛的工作波长，R为光子筛的半径，η为小孔分布的操控系数，xm和ym是光子筛第m个小孔的中心位置，m＝1,2,3,…,num，其中通光环带半径约为小孔半径 本实用新型提出的大视场衍射光子筛的最终成像对离轴像差不敏感，可以在大的视场范围内清晰成像，与传统光子筛相比，在相同数值孔径下的视场角度有明显的拓展。
-
公开(公告)号：CN205749968U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620637310.9
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本实用新型的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.021 seconds)
