公开(公告)号：CN1986717A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610163754.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 藤井滋夫 ,  末永宪一

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明提供了硬盘基板用研磨液组合物以及使用了该研磨液组合物的硬盘基板的制造方法，该研磨液组合物优选含有氧化铝粒子和水，其中氧化铝粒子的二次粒子的体积中值粒径为0.1－0.7μm，氧化铝粒子中的粒径为1μm以上的粒子的含量为0.2重量％以下。通过使用本发明的研磨液组合物和基板的制造方法，例如可以以高的生产效率提供适合高记录密度化的硬盘基板。

公开(公告)号：CN1307279C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200410049278.4

申请日：2004-06-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  西本和彦 ,  末永宪一 ,  萩原敏也

IPC: C09K3/14 ,  B24D3/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法，及减少基板微小表面波纹的方法，所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法，所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。

公开(公告)号：CN1295293C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410004018.5

申请日：2004-02-05

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 末永宪一 ,  大岛良晓 ,  萩原敏也

IPC: C09K3/14 ,  B24B7/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物，包含在水基介质中的硅石微粒，其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系，且其中在该硅石微粒的粒径60～120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系；一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法，包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；一种记忆硬盘用基板的制造方法，包含用该研磨液组合物对镀Ni-P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。

公开(公告)号：CN1572858A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049278.4

申请日：2004-06-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  西本和彦 ,  末永宪一 ,  萩原敏也

IPC: C09K3/14 ,  B24D3/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法，及减少基板微小表面波纹的方法，所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法，所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。