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公开(公告)号：CN103052010B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201210385697.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H04R19/02
CPC classification number: H04R1/403 , H04R1/26 , H04R2201/003 , H04R2201/401
Abstract: 本发明涉及微机电扬声器阵列（1），具有多个微机电扬声器元件（2），扬声器元件分别具有膜片元件（8），其为了产生声脉冲可从中性位置偏转到至少一个偏转位置；以及激励装置（6），其被设计为根据操控信号将膜片元件（8）从中性位置置于至少一个偏转位置。微机电扬声器阵列包括控制装置（3），其与多个微机电扬声器元件（2）耦合，并且被设计为分别在操控时刻为了通过激励膜片元件（8）产生声脉冲向微机电扬声器元件（2）中的至少一个的激励装置（6）发送第一操控信号，并且为了在该操控时刻之后在预先确定的时间区间期间将膜片元件（8）松弛到中性位置而分别向微机电扬声器元件（2）中的至少一个的激励装置（6）发送第二操控信号。
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公开(公告)号：CN103663350B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201310420679.5
申请日：2013-09-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B3/0086 , B81C1/00134
Abstract: 本发明实现了一种具有移动的门极的微机械传感器装置和一种相应的制造方法。所述具有移动的门极的微机械传感器装置具有场效应晶体管，所述场效应晶体管具有漏极区域（3）、源极区域（4）、位于两者之间的带有第一掺杂类型的通道区域（7）以及可移动的门极（1），所述可移动的门极通过一间隙（Z）与所述通道区域（7）分隔开。所述漏极区域（3）、源极区域（4）和通道区域（7）布置在基体（2）中。在所述基体（2）中，至少在所述通道区域（7）的纵向侧面（S1、S2）上设有氧化区域（8；8a、8b）中。
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公开(公告)号：CN105940295A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480075003.X
申请日：2014-12-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成，并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成，并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。
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公开(公告)号：CN103130176A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210470864.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , H01L29/66007 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H04R1/023 , H04R1/06 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供了一种微机械功能装置、尤其扬声器装置和一种相应的制造方法。该功能装置、尤其扬声器装置包含有一个具有上侧（O）和下侧（U）的衬底（5；5`）、至少一个安置在该第一孔穴（K`）中底侧（U）上的电路芯片（30）、安置在第二孔穴（K）中在上侧（O）上的具有多个微机械扬声器（9a,9b,9c）的微机械功能结构、尤其扬声器结构（10）、以及设置在该微机械功能结构、尤其扬声器结构（10）上侧（O）的覆盖装置（20）。
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公开(公告)号：CN103052010A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210385697.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H04R19/02
CPC classification number: H04R1/403 , H04R1/26 , H04R2201/003 , H04R2201/401
Abstract: 本发明涉及微机电扬声器阵列（1），具有多个微机电扬声器元件（2），扬声器元件分别具有膜片元件（8），其为了产生声脉冲可从中性位置偏转到至少一个偏转位置；以及激励装置（6），其被设计为根据操控信号将膜片元件（8）从中性位置置于至少一个偏转位置。微机电扬声器阵列包括控制装置（3），其与多个微机电扬声器元件（2）耦合，并且被设计为分别在操控时刻为了通过激励膜片元件（8）产生声脉冲向微机电扬声器元件（2）中的至少一个的激励装置（6）发送第一操控信号，并且为了在该操控时刻之后在预先确定的时间区间期间将膜片元件（8）松弛到中性位置而分别向微机电扬声器元件（2）中的至少一个的激励装置（6）发送第二操控信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105940295B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201480075003.X
申请日：2014-12-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成，并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成，并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。
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公开(公告)号：CN103313172B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201310067550.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明实现了微机械声变换器装置和相应的制造方法。微机械声变换器装置包括电印制电路板（1），所述印制电路板具有前侧（VS）和背侧（RS）；其中在前侧（VS）上以倒装芯片方法施加有微机械声变换器结构（3）；并且其中印制电路板（1）在微机械声变换器结构（3）的区域中具有用于放射出声波（S）的开口（5）。
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公开(公告)号：CN103827672B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201280047161.5
申请日：2012-08-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： A.法伊
Abstract: 本发明涉及一种具有可移动的栅的微机械的传感器装置和一种相应的制造方法。具有可移动的栅的传感器装置包括具有可移动的栅(7)的场效应晶体管(2)，可移动的栅通过空腔(11)与信道区(K)分开，其中，信道区(K)用栅隔离层(3)覆盖。
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公开(公告)号：CN103130175B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210473930.X
申请日：2012-11-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C1/00325
Abstract: 本发明涉及MEMS芯片封装以及用于制造MEMS芯片封装的方法，该MEMS芯片封装具有：第一芯片，该第一芯片具有第一和第二芯片表面；第二芯片，该第二芯片具有第一和第二芯片表面；第一耦合元件，该第一耦合元件把该第二芯片的第一芯片表面与该第一芯片的第一芯片表面相耦合，使得在该第一与第二芯片之间形成第一空腔；第一布线层，该第一布线层设计用于提供至衬底的连接，这两个芯片之一具有至少一个微机电结构元件、框架元件，其中该框架元件包围了该微机电结构元件。相应另一芯片具有浇注材料层、嵌入该浇注材料层中的控制电路以及在该第一芯片表面所施加的第三布线层，其中该控制电路构造用于控制至少一个微机电结构元件。
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公开(公告)号：CN105900236A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480059758.0
申请日：2014-10-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L27/14 , H01L29/94 , H01L21/205
Abstract: 一种半导体传感器设备包括：衬底；非适合晶种层，位于衬底上方；至少一个电极，位于非适合晶种层上方；以及多孔感测层，直接由非适合晶种层支持并且与至少一个电极电通信，多孔感测层定义使用原子层沉积通过在非适合晶种层上的间隔开的成核而形成的多个晶界。
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