公开(公告)号：CN105900236A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480059758.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A.K.萨马劳 ,  G.奥布里恩 ,  A.法伊 ,  F.普克尔 ,  G.雅马

IPC: H01L27/14 ,  H01L29/94 ,  H01L21/205

Abstract: 一种半导体传感器设备包括：衬底；非适合晶种层，位于衬底上方；至少一个电极，位于非适合晶种层上方；以及多孔感测层，直接由非适合晶种层支持并且与至少一个电极电通信，多孔感测层定义使用原子层沉积通过在非适合晶种层上的间隔开的成核而形成的多个晶界。

公开(公告)号：CN105900236B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201480059758.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A.K.萨马劳 ,  G.奥布里恩 ,  A.法伊 ,  F.普克尔 ,  G.雅马

IPC: H01L27/14 ,  H01L29/94 ,  H01L21/205

Abstract: 一种半导体传感器设备包括：衬底；非适合晶种层，位于衬底上方；至少一个电极，位于非适合晶种层上方；以及多孔感测层，直接由非适合晶种层支持并且与至少一个电极电通信，多孔感测层定义使用原子层沉积通过在非适合晶种层上的间隔开的成核而形成的多个晶界。