公开(公告)号：CN1707888A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075572.7

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  成井启修 ,  黑水勇一 ,  山内义则 ,  田中嘉幸

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/166

Abstract: 本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在n型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到p侧电极和n侧电极被形成。此后，跨p侧和n侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为p型DBR层顶层的p型AlwGa1－wAs层上形成A1氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。

公开(公告)号：CN1574525A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410068435.6

申请日：2004-05-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 黑水勇一 ,  成井启修 ,  山内义则 ,  田中嘉幸 ,  渡部义昭

IPC: H01S5/183

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/305 ,  H01S5/343 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种平面发射型半导体激光器件，包括：在n型GaAs台面式衬底上的、下反射层、下覆盖层、活性层、上覆盖层、上反射层，以及p型接触层的叠层结构。台面式衬底包括：圆形(100)晶面的上层部分、台面部分以及围绕上层部分的环形(100)晶面的下层部分，其中在上层部分和下层部分之间具有台面部分。当在台面式衬底上生长作为电流限制层的AlAs层时，使得上层部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度比台面部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度高，从而使上层部分的上侧上的AlAs层的氧化过程受到自主抑制。通过AlAs层的氧化反应的时间控制，可以将上层部分的上侧上的圆形AlAs层维持在具有精确形状和精确面积的未氧化状态。