公开(公告)号：CN100419903C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03823117.4

申请日：2003-07-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  冈崎信道

IPC: G11C11/15 ,  G11C16/02 ,  G06F12/16 ,  G06F12/06

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/005 ,  G11C11/14

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种复合存储电路，其包括包含相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路的存储电路，通过向非易失性存储电路存储与存储在易失性存储电路中相同的存储信息，该复合存储电路布置成具有瞬时接通功能，并能减少功耗，还提供一种包括该复合存储电路的半导体装置。根据本发明，在复合存储电路和包括该复合存储电路的半导体装置中，提供了判定电路用于当向非易失性存储电路写入易失性存储电路中存储的存储信息时，比较存储在易失性存储电路中的第一存储信息与已经存储在非易失性存储电路中的第二存储信息，所述复合存储电路包括相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路，并且仅当第一存储信息与第二存储信息不一致时，才向非易失性存储电路写入第一存储信息。

公开(公告)号：CN1714402A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03807918.6

申请日：2003-02-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  冈崎信道

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 通过提高使用铁磁隧道结器件的磁存储装置的电迁移的电阻来防止磁存储装置出现故障。使用铁磁隧道结器件的磁存储装置通过在隧道势垒层的上面和背面分别层叠固定磁化层和自由磁化层来形成由铁磁隧道结器件，并且使字线在铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向上延伸以及使位线在与铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向垂直方向上延伸，以便允许通过反转流过位线的电流的方向来把两种不同的存储状态写入铁磁隧道结器件中，其中，在写入铁磁隧道结器件时，把流过字线的电流的方向反转到与固定磁化层的磁化方向相同的方向或相反的方向。

公开(公告)号：CN1685439A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823117.4

申请日：2003-07-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  冈崎信道

IPC: G11C11/15 ,  G11C16/02 ,  G06F12/16 ,  G06F12/06

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/005 ,  G11C11/14

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种复合存储电路，其包括包含相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路的存储电路，通过向非易失性存储电路存储与存储在易失性存储电路中相同的存储信息，该复合存储电路布置成具有瞬时接通功能，并能减少功耗，还提供一种包括该复合存储电路的半导体装置。根据本发明，在复合存储电路和包括该复合存储电路的半导体装置中，提供了判定电路用于当向非易失性存储电路写入易失性存储电路中存储的存储信息时，比较存储在易失性存储电路中的第一存储信息与已经存储在非易失性存储电路中的第二存储信息，所述复合存储电路包括相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路，并且仅当第一存储信息与第二存储信息不一致时，才向非易失性存储电路写入第一存储信息。

公开(公告)号：CN1684197A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510065215.2

申请日：2005-04-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/063

Abstract: 本申请公开了一种数据读出电路，用于通过设置位线的电压为预定的偏置电压并检测阻变存储器(resistance change memory)中流动的电流值，从位于位线和字线相交点的阻变存储器读取存储器数据，该数据读出电路包括通过开关设备连接到位线的电容设备；和连接到开关设备两端的电流源电路，用于给位线提供电流，以使位线的电压和电容设备的电压相等。

公开(公告)号：CN1647207A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808694.8

申请日：2003-04-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  肥后丰

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/06 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种能够精确地读出存储在可变电阻存储元件中的数据的存储装置。该存储装置使用可变电阻存储元件，根据所存储数据的两种类型，这种可变电阻存储元件的电阻值在具有比参考电阻值高的电阻值的高电阻状态和具有比参考电阻值低的电阻值的低电阻状态之间变化。在两个设置为不同电位的参考电位端子之间，安排了并联的参考电路与存储电路。该参考电路由串联的电阻元件和参考电阻元件组成。该存储电路由串联的电阻元件和可变电阻存储元件组成。安排该参考电阻元件使得该电阻值可以修正。