公开(公告)号：CN100468571C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510052645.0

申请日：2005-03-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 石田实 ,  荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: G11C11/409 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。

公开(公告)号：CN1697195B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200410094244.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  前坂明弘 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。

公开(公告)号：CN100481254C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510107643.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  相良敦 ,  中岛智惠子 ,  森宽伸 ,  长尾一

IPC: G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。

公开(公告)号：CN1989619A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN1770319A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107643.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  相良敦 ,  中岛智惠子 ,  森宽伸 ,  长尾一

IPC: G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。

公开(公告)号：CN1664957A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510052645.0

申请日：2005-03-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 石田实 ,  荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: G11C11/409 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。