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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101764221A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910261102.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/056 , H01M4/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M10/4235
Abstract: 提供了一种能改善循环特性的二次电池。该二次电池包括阴极、阳极和电解质溶液。所述电解质溶液浸渍在设置于阴极和阳极之间的隔离器中。在阳极中，在阳极集流器的两个面上设置阳极活性材料和化合物层。阳极活性材料层包含多个阳极活性材料颗粒。所述阳极活性材料颗粒具有含硅作为构成元素的阳极活性材料的多层结构。多层结构中每一层的厚度为50nm～1050nm，包括端值。因此，各层之间的接触特性，阳极活性材料层与阳极集流器之间的接触特性以及集流特性得到改善。
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公开(公告)号：CN100580980C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810008295.1
申请日：2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极，所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层，其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料，并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si-O键和Si-N键的化合物膜。
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公开(公告)号：CN101546823A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910130322.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/04 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/387 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性的负极和二次电池。该负极包括：在负极集电体上的负极活性物质层，该负极活性物质层包括多个负极活性物质颗粒，其中由该负极活性物质层的表面观察的多个负极活性物质颗粒的平均颗粒面积在1μm2～60μm2的范围内。
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公开(公告)号：CN101381857B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810213081.8
申请日：2008-08-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2200/106
Abstract: 提供一种能够稳定地形成良好质量薄膜且高度适于批量生产的蒸发设备。蒸发设备包括：蒸发源，通过加热释放蒸发材料；保持部件，保持蒸发对象；及热屏蔽部件，它布置在蒸发源与保持部件保持的蒸发对象之间，具有开口以用于汽相状态下的蒸发材料从蒸发源通过到达蒸发对象，及屏蔽蒸发对象以免受蒸发源的部分辐射热量。热屏蔽部件被布置得距离蒸发源比距离保持部件更近。
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公开(公告)号：CN101246954A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810008295.1
申请日：2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极，所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层，其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料，并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si－O键和Si－N键的化合物膜。
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