公开(公告)号：CN104964679B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510272661.4

申请日：2012-05-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: G01C19/5733 ,  G01C19/574

CPC classification number: G01C19/574 ,  G01C19/5733

Abstract: 本发明提供实现了小型化的陀螺仪传感器和电子设备。陀螺仪传感器具有：第1质量部，具有第1检测部；第2质量部，具有第2检测部；第1驱动部，使第1质量部在第1轴的方向上振动；力转换部，由锚部固定，第1质量部和第2质量部由力转换部连接，力转换部以锚部为轴进行移位，使第2质量部在平面视图中与第1轴交叉的第2轴的方向上振动，陀螺仪传感器具有：第3质量部，在第1轴上与第1质量部相对，且具有第3检测部；以及第2驱动部，使第3质量部在与第1质量部相反的第1轴的方向上振动，力转换部连接在第2质量部与第3质量部之间，并且，利用第1质量部和第3质量部的第1轴的方向的振动，使第2质量部在第2轴的方向上振动。

公开(公告)号：CN102645550B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210038089.1

申请日：2012-02-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: G01P3/483

CPC classification number: G01C19/56 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5747

Abstract: 本发明提供物理量传感器及电子设备。物理量传感器(10)的特征在于，具有：基板；第1、第2移位部(21、31)，它们配置在基板上的空间平面内，并具有旋转轴(22、32)；固定电极部，其设置在基板的分别与第1、第2移位部(21、31)相对的位置处；支承部(40)，其分别支承第1移位部和第2移位部的旋转轴；固定部(50)，其经由弹簧部(60)对支承部(40)进行支承；以及驱动部(70)，其使支承部(40)在振动方向上振动，第1、第2移位部能够以旋转轴为轴相对于空间平面在垂直方向上移位，旋转轴被设置成分别偏离第1移位部或第2移位部的重心，第1移位部(21)的旋转轴(22)与第2移位部(31)的旋转轴(32)从重心偏离的方向彼此相反。

公开(公告)号：CN104964679A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510272661.4

申请日：2012-05-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: G01C19/5733 ,  G01C19/574

CPC classification number: G01C19/574 ,  G01C19/5733

Abstract: 本发明提供实现了小型化的陀螺仪传感器和电子设备。陀螺仪传感器具有：第1质量部，具有第1检测部；第2质量部，具有第2检测部；第1驱动部，使第1质量部在第1轴的方向上振动；力转换部，由锚部固定，第1质量部和第2质量部由力转换部连接，力转换部以锚部为轴进行移位，使第2质量部在平面视图中与第1轴交叉的第2轴的方向上振动，陀螺仪传感器具有：第3质量部，在第1轴上与第1质量部相对，且具有第3检测部；以及第2驱动部，使第3质量部在与第1质量部相反的第1轴的方向上振动，力转换部连接在第2质量部与第3质量部之间，并且，利用第1质量部和第3质量部的第1轴的方向的振动，使第2质量部在第2轴的方向上振动。

公开(公告)号：CN101241836A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710196629.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体基板(1)的整个面的表层部上形成氧化膜。在通过湿蚀刻除去第一半导体层(5)之前，除去氧化膜的至少一部分而使半导体基板(1)的基板半导体层(1a)露出。而且，采用热氧化在通过湿蚀刻得到的空洞部内填充氧化膜，得到SOI结构。由此，可以防止没有形成贯通到硅层下的空洞部的不良情况，通过形成良好的SOI结构，从而可以制造具有SOI结构的优质半导体装置。

公开(公告)号：CN1901228A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610091231.3

申请日：2006-06-07

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 加藤树理 ,  冈秀明 ,  金本启 ,  原寿树 ,  酒井彻志

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置在单晶半导体基板(11)上形成埋入氧化膜(12)，在埋入氧化膜(12)上形成有构成背栅电极的第1单晶半导体层(13)。并且，第1单晶半导体层(13)上形成埋入氧化膜(14)，在埋入氧化膜(14)上，堆积被台面隔离的第2单晶半导体层(15a、15b)，使第2单晶半导体层(15a、15b)的膜厚比第1单晶半导体层13的膜厚更厚，并且在第2单晶半导体层(15a、15b)上形成SOI晶体管。这样，能够抑制形成场效应晶体管的半导体层的结晶性能下降，并且在形成场效应晶体管的半导体层下面，配置低电阻化的背栅电极。

公开(公告)号：CN104807453A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510043596.8

申请日：2015-01-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启 ,  古畑诚

IPC: G01C19/5733

CPC classification number: G05D19/02 ,  H04M2250/00 ,  G01C19/5733

Abstract: 本发明提供功能元件、电子器件、电子设备和移动体。能够防止由振动泄漏现象引起的倾斜振动传递到检测部而导致检测精度下降。作为功能元件的陀螺元件具有：支承体；检测部，其与支承体连接，检测第1轴方向的振动；驱动连结部，其具有第1部分和第2部分，第1部分与支承体连接，在第1轴方向上延伸，第2部分与第1部分连接，比第1部分的第1轴方向的尺寸短，在第2轴方向上延伸；以及质量部，其与驱动连结部连接，经由驱动连结部与支承体连接，质量部在与包含相互正交的第1轴和第2轴的面的法线平行的第3轴方向上进行驱动振动。

公开(公告)号：CN102645550A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210038089.1

申请日：2012-02-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: G01P3/483

CPC classification number: G01C19/56 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5747

Abstract: 本发明提供物理量传感器及电子设备。物理量传感器(10)的特征在于，具有：基板；第1、第2移位部(21、31)，它们配置在基板上的空间平面内，并具有旋转轴(22、32)；固定电极部，其设置在基板的分别与第1、第2移位部(21、31)相对的位置处；支承部(40)，其分别支承第1移位部和第2移位部的旋转轴；固定部(50)，其经由弹簧部(60)对支承部(40)进行支承；以及驱动部(70)，其使支承部(40)在振动方向上振动，第1、第2移位部能够以旋转轴为轴相对于空间平面在垂直方向上移位，旋转轴被设置成分别偏离第1移位部或第2移位部的重心，第1移位部(21)的旋转轴(22)与第2移位部(31)的旋转轴(32)从重心偏离的方向彼此相反。

公开(公告)号：CN101114580A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138618.4

申请日：2007-07-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可获得在自衬底开始绝缘于元件区域的埋入绝缘层内无间隙的SOI构造。在配置有多个SOI形成区域的衬底(202)上形成单晶硅锗层(324)及单晶硅层(326)，形成以只包括SOI形成区域(204)的一边的方式相邻接的支承体孔(332)。然后，利用通过支承体孔(332)与衬底(202)相连接的支承体(352)来支承单晶硅层(326)，同时去除单晶硅锗层(324)，形成空穴部(372)，通过热氧化在该空穴部形成绝缘层(382)，从而得到SOI构造。

公开(公告)号：CN101097856A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126316.5

申请日：2007-06-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种能够抑制SOI结构中的单晶半导体层的剥离的半导体装置的制造方法以及半导体装置。作为半导体装置的制造方法，首先在SOI形成区域上形成第一支承体孔和第二支承体孔。然后使用回蚀法在支承体孔的侧壁上形成第一侧壁(35)。然后，在硅基板(11)上形成支承体前驱层，从支承体前驱层形成支承体(26)。进而，将支承体(26)作为掩模，蚀刻硅锗层和硅层，露出第一硅锗层和第一硅层(16a)的端面。然后，使用回蚀法，在露出的露出面上形成第二侧壁(36)。

公开(公告)号：CN101013708A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710007704.1

申请日：2007-01-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 冈秀明 ,  金本启

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(60)，在将半导体基板(10)蚀刻到规定深度而得到的第一区域，通过外延生长而形成，该半导体层距半导体基板(10)底面的高度与半导体基板(10)表面的高度实质相同；嵌入绝缘层(240)，嵌入到半导体基板(10)与半导体层(60)之间；和元件分离体，在水平面内，对半导体层(60)内的各元件区域间以及半导体层(60)与半导体基板(10)之间进行元件分离。因此，可以得到一种在混载有SOI结构与体结构的半导体基板上形成的半导体装置，而不会增大芯片尺寸。