公开(公告)号：CN100474630C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610101956.6

申请日：2006-07-11

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原寿树

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种能够降低自发热效应，也能解除基板悬浮效应的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的特征在于，具有SDON晶体管(100)，其包括在Si基板(1)上的Si层(10)上介由栅极氧化膜(21)形成的栅极电极(23)、夹持栅极电极(23)而在Si层(10)上形成的源极层(27a)以及漏极层(27b)，在源极层(27a)与Si基板(1)之间以及漏极层(27b)与Si基板(1)之间分别存在空洞部(15)，且在栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)之间不存在空洞部(15)。由于栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)连接，因此与SON晶体管相比，能够降低自发热效应。此外，由于体电位固定在Si基板(1)上，因此能够解除基板悬浮效应。

公开(公告)号：CN1897308A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101956.6

申请日：2006-07-11

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原寿树

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种能够降低自发热效应，也能解除基板悬浮效应的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的特征在于，具有SDON晶体管(100)，其包括在Si基板(1)上的Si层(10)上介由栅极氧化膜(21)形成的栅极电极(23)、夹持栅极电极(23)而在Si层(10)上形成的源极层(27a)以及漏极层(27b)，在源极层(27a)与Si基板(1)之间以及漏极层(27b)与Si基板(1)之间分别存在空洞部(15)，且在栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)之间不存在空洞部(15)。由于栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)连接，因此与SON晶体管相比，能够降低自发热效应。此外，由于体电位固定在Si基板(1)上，因此能够解除基板悬浮效应。