公开(公告)号：CN1755897A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510106871.2

申请日：2005-09-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 傅田敦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种功能膜的制造方法，其特征在于，包括：将含有熔点为900℃以上且使粒径为30nm～150nm时的熔点为255℃以上的金属和金属氧化物材料作为溶质的第1油墨配置于基板(P)上的工序、在已配置的第1油墨上配置含有金属有机盐作为溶质的第2油墨X2的工序。由此，本发明提供与烧成温度无关、即使在将烧成温度设定为低温的情况下膜表面的平坦性和膜的致密性也良好且可以充分确保需要的膜特性的功能膜的制造方法。

公开(公告)号：CN1741272A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092633.0

申请日：2005-08-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 野田洋一 ,  酒井真理 ,  傅田敦 ,  平井利充

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法，能够在半导体膜和像素电极之间喷出导电性材料形成导电膜时，防止导电性材料从半导体膜上流出，确保导电膜有充分的膜厚。有源矩阵基板(20)，在基板(P)上具备：格子图形的布线(40、42)；像素电极(45)，配置在布线(40、42)包围的区域中；开关元件(30)，通过导电膜(44)，与像素电极45和布线(42)电连接。该有源矩阵基板(20)具备辅助导电部(50)，将像素电极(45)与导电膜(44)电连接。此外，在辅助导电部(50)上的一部分上还具备围堰(61)。