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公开(公告)号:CN104409775A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410237593.3
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积;这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN104409774A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410237589.7
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/139
CPC classification number: H01M10/058 , H01M4/139 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种锂电池的3D打印方法,首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层,随后,在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料;再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积;每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号:CN104882542B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201510281381.X
申请日:2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低且工艺简单,同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应,从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号:CN104409776B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201410237605.2
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法,以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚偏氟乙烯膜为隔膜,以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料,以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜,以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号:CN104409728B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201410237602.9
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/58
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极,磷酸铁锂材料为阴极的电极结构,最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点;所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN104409773B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201410237586.3
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积;每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN104409776A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410237605.2
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法,以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚偏氟乙烯膜为隔膜,以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料,以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜,以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号:CN104409773A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410237586.3
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积;每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN104409683A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410238059.4
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/13
CPC classification number: H01M10/058 , B29C64/106 , H01M4/1391 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种基于同轴3D打印技术制备并排阴阳极锂离子电池的方法。这种方法主要是先制备出分别包含钛酸锂、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂混合物的阳极、隔膜和阴极打印墨水,通过3D打印技术,采用同轴套管3D打印技术打印出以钛酸锂为阳极材料、聚偏氟乙烯为隔膜材料、磷酸铁锂为阴极材料的阴阳极并排结构,该阴阳极并排结构具有阳极、隔膜同轴并与阴极并排的特殊结构,最后将此结构转移到手套箱中进行封装,进一步得到同轴并排阴阳极锂离子电池。该方法主要是在阳极材料外面打印上一层多孔隔膜,并可以与阴极材料紧密接触,大大缩短了锂离子在阴阳电极间的扩散距离,提高了电极材料的电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN104051275B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201410297058.7
申请日:2014-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法,利用先进的量子点组装技术,在硅/二氧化硅衬底上,组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道,随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,随后,通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道,可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应,从而有效提高了晶体管的灵敏度,因此,在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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