公开(公告)号：CN1708450A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102053.4

申请日：2003-10-17

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·T·M·范比克 ,  M·范格鲁特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0323 ,  B81C2201/0142

Abstract: 本发明涉及一种制造微机电器件(10)的方法，在该方法中，在衬底(1)上依序地沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5)，第二电极(5A)与第一电极(2A)以及第一绝缘层(3)一起形成器件(10)，其中在沉积第二导电层(5)之后，借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂除去第二绝缘层(4)。根据本发明，对于第一材料和第二材料，选择相对于彼此仅有有限的选择蚀刻性的材料；且在沉积第二绝缘层(4)之前，在第一绝缘层(3)的顶部上提供由另一材料构成的另一层(6)，该另一材料相对于第一材料可被选择蚀刻。这样，将氧化硅和氮化硅用于绝缘层(3、4)，且因此根据本发明的方法与当前的IC工艺非常兼容。优选地，通过蚀刻局部地除去第二绝缘层(4)，然后通过蚀刻完全除去另一层(6)，且最后通过蚀刻完全除去第二绝缘层(4)。