用于直接转换x射线检测器的极化校正

    公开(公告)号:CN108139494B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN201680061282.3

    申请日:2016-10-11

    Abstract: 光子计数x射线检测器(3)遭受归因于极化的性能退化。为了校正极化对所生成的x射线图像的影响,本发明提出(i)将辐射检测器(3)暴露于由另一辐射源(11)发射的第一辐射脉冲,并且获得辐射检测器(3)响应于第一辐射脉冲而生成的第一电脉冲信号(3),(ii)随后在采集图像期间将辐射检测器(3)暴露于由另一辐射源(11)发射的第二辐射脉冲,并且获得辐射检测器(3)响应于第二辐射脉冲而生成的第二电脉冲信号,以及(iii)比较第一电脉冲信号和第二电脉冲信号的幅度,并且基于该比较的结果生成x射线图像。本发明提供了一种对应的x射线设备和一种对应的方法。

    基于核共振吸收的血管检查

    公开(公告)号:CN112584766A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980052491.5

    申请日:2019-08-06

    Inventor: H·德尔

    Abstract: 本发明涉及一种用于确定血管部分的特征的系统和方法,所述血管部分包括血液,所述血液含有在特定能量下呈现X射线光子的共振吸收的造影剂。所述系统包括发射X射线辐射的可调谐单色X射线源(21)、用于在X射线辐射已经穿过所述血管部分之后探测X射线辐射的X射线探测器设备(22)。控制单元(26)改变X射线源(21)的调谐,以改变由X射线源(21)发射的X射线辐射的能量,并且评估单元(27)确定出现入射到所述血管部分上的X射线辐射的核共振吸收处的X射线源(21)的调谐,并基于所确定的调谐来估计所述特征。所述特征具体地可以是所述血管部分中的血液速度。

    用于采集暗场图像的体模设备、暗场成像系统和方法

    公开(公告)号:CN109561868B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201780050494.6

    申请日:2017-12-18

    Abstract: 本发明涉及用于暗场成像系统的体模设备。尽管已知暗场成像对可能在疾病进展期间引起的人类对象组织的微观结构的变化敏感,但是可能需要对由人类对象的图像提供的信息进行量化。表示所述暗场图像的探测器信号分量可以通过X射线光谱的改变而改变,所述X射线光谱通过人类对象的包括微结构的组织。这可能是由于对先前由X射线源提供的X射线辐射的衰减引起的,其中,衰减可以由人类对象的组织引起,其覆盖包括组织的所述微结构。为了在临床实践中提供关于X射线辐射在通过人类对象的微结构组织之前衰减对X射线辐射的影响的信息,提出了用于暗场成像的体模设备。该体模设备包括主体,其中,所述主体包括多个参考部分。每个参考部分包括衰减部分和去相干部分。相同参考部分的衰减部分和去相干部分彼此上下堆叠。结果,不同的参考部分可以模仿沿着X射线辐射的传播方向延伸的人类对象的不同部分,X射线辐射的传播方向从暗场成像系统的X射线源朝向对应的X射线探测器传播。因此,如果与人类对象同时或随后扫描体模设备,则可以采集暗场图像,其表示人类对象以及体模设备。根据由体模设备引起的暗场图像的图像部分,临床医师可以对图像的相应部分进行评估和分类,其与人类对象相关,例如与肺的部分相关。本发明还涉及一种成像系统,所述成像系统被配置为与体模设备一起扫描人体对象,并且本发明涉及相应的方法。

    X射线探测器、成像装置和校准方法

    公开(公告)号:CN106030345B

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201580008130.2

    申请日:2015-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器,所述X射线探测器包括直接转换半导体层(60),所述直接转换半导体层具有多个像素,所述多个像素用于将入射辐射转换成具有所述半导体层的带隙能量特性的电测量信号,其中,所述入射辐射为由X射线源(2)发射的X射线辐射或者由至少一个光源(30、33)发射的光。另外,评估单元(67)被提供用于根据当来自所述至少一个光源的具有第一强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第一电测量信号以及当来自所述至少一个光源的具有第二强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第二电测量信号来计算每像素或每像素组的评估信号,其中,所述评估单元被配置为检测所述第一电测量信号和所述第二电测量信号中每像素或每像素组的噪声峰值,并且被配置为根据检测到的噪声峰值来确定每像素或每像素组的偏置和增益。探测单元(69)被提供用于根据当X射线辐射入射到所述半导体层上时所生成的电测量信号来确定探测信号,并且校准单元(68)被提供用于基于所述评估信号来校准所述探测单元。

    用于探测器装置的防散射网格组件

    公开(公告)号:CN109983542A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201780072828.X

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种防散射网格(ASG)组件,其包括第一网格和第二网格,其中,所述第二网格被布置在所述第一网格的顶部上并且包括横向移位。所述第一网格的薄片厚度小于所述第二网格的薄片厚度。本发明还涉及一种探测器装置,其包括像素探测器和布置在所述像素探测器的顶部上的ASG组件。

    X射线成像
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107580473A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201680026177.6

    申请日:2016-05-06

    Abstract: 在经过感兴趣目标之后在探测器处接收到的X射线信号的强度是由所述感兴趣目标引起的衰减、相位变化和散射的函数。在常规的X射线系统中,不可能对这些分量进行解析。本申请讨论了对所述感兴趣目标的部分中的相位差所引起的干涉测量图案的变化不敏感的X射线测量技术。因此,接收到的强度测量仅由衰减分量和散射分量所引起。通过使用这种相位不变的成像器对感兴趣目标做出两次独立的测量,可以分离衰减分量与散射分量,从而提供由所谓的“暗场”效应引起的关于所成像的感兴趣目标的有价值的额外信息。

    X射线探测器、成像装置和校准方法

    公开(公告)号:CN106030345A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201580008130.2

    申请日:2015-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器,所述X射线探测器包括直接转换半导体层(60),所述直接转换半导体层具有多个像素,所述多个像素用于将入射辐射转换成具有所述半导体层的带隙能量特性的电测量信号,其中,所述入射辐射为由X射线源(2)发射的X射线辐射或者由至少一个光源(30、33)发射的光。另外,评估单元(67)被提供用于根据当来自所述至少一个光源的具有第一强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第一电测量信号以及当来自所述至少一个光源的具有第二强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第二电测量信号来计算每像素或每像素组的评估信号,其中,所述评估单元被配置为检测所述第一电测量信号和所述第二电测量信号中每像素或每像素组的噪声峰值,并且被配置为根据检测到的噪声峰值来确定每像素或每像素组的偏置和增益。探测单元(69)被提供用于根据当X射线辐射入射到所述半导体层上时所生成的电测量信号来确定探测信号,并且校准单元(68)被提供用于基于所述评估信号来校准所述探测单元。

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