公开(公告)号：CN105405844A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510974226.6

申请日：2015-12-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘继芝 ,  田瑞 ,  刘志伟

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0203 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0688

Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n-1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。